Справочник IGBT. AP50GT60SW-HF

 

AP50GT60SW-HF Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: AP50GT60SW-HF
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 90 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 240 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 118 nC
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

AP50GT60SW-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:61K  ape
 ap50gt60sw-hf.pdf pdf_icon

AP50GT60SW-HF

AP50GT60SW-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL INSULATED GATEElectronics Corp. BIPOLAR TRANSISTORFeaturesCVCES 600V High Speed Switching IC 45A Low Saturation VoltageVCE(sat),Typ.=1.85V@IC=45A CGC TO-3P Built-in Fast Recovery DiodeEG RoHS Compliant & Halogen-FreeEAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVCES Collector-Emit

 9.1. Size:95K  ape
 ap50g60sw.pdf pdf_icon

AP50GT60SW-HF

AP50G60SWRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL INSULATED GATEElectronics Corp. BIPOLAR TRANSISTORFeaturesVCES 600VC High Speed Switching IC 45A Low Saturation VoltageVCE(sat),Typ.=2.6V@IC=33A CG Built-in Fast Recovery DiodeC TO-3PGEEAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVCES Collector-Emitter Voltage 600 VVGE Gate-Emitter Vo

 9.2. Size:95K  ape
 ap50g60w-hf.pdf pdf_icon

AP50GT60SW-HF

AP50G60W-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL INSULATED GATEElectronics Corp. BIPOLAR TRANSISTORFeaturesC High Speed Switching VCES 600V Low Saturation Voltage IC 40AVCE(sat),Typ.=2.5V@IC=40A RoHS Compliant & Halogen-FreeGCCTO-3PGEEAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVCES Collector-Emitter Voltage 600 VVGE Gate-Emitter

 9.3. Size:96K  ape
 ap50g60sw-hf.pdf pdf_icon

AP50GT60SW-HF

AP50G60SW-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL INSULATED GATEElectronics Corp. BIPOLAR TRANSISTORFeaturesVCES 600VC High Speed Switching IC 45A Low Saturation VoltageVCE(sat),Typ.=2.6V@IC=33A CG Built-in Fast Recovery DiodeC TO-3PG RoHS Compliant & Halogen-FreeEEAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVCES Collector-Emitte

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT15GP60KG , APT15GP90BG , APT15GP90KG , APT30GT60BRDLG , APT30GT60BRDQ2G , APT30GT60BRG , APT30GS60BRDQ2G , APT30GS60SRDQ2G , IKW40N65WR5 , MMIX1X100N60B3H1 , RJH1BF7RDPQ-80 , RJH1DF7RDPQ-80 , RJH1CF7RDPQ-80 , VS-GA100NA60UP , APT35GP120JDQ2 , APT40GP90JDQ2 , APT46GA90JD40 .

 

 
Back to Top

 


 
.