Справочник IGBT. RJH1BF7RDPQ-80

 

RJH1BF7RDPQ-80 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: RJH1BF7RDPQ-80
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1100 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 78 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 67 pF
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для RJH1BF7RDPQ-80

 

 

RJH1BF7RDPQ-80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:98K  renesas
 rjh1bf7rdpq-80.pdf

RJH1BF7RDPQ-80 RJH1BF7RDPQ-80

Preliminary Datasheet RJH1BF7RDPQ-80 R07DS0394EJ0100Silicon N Channel IGBT Rev.1.00High Speed Power Switching May 16, 2011Features Voltage resonance circuit use Reverse conducting IGBT with monolithic body diode High efficiency device for induction heating Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 35 A, VGE = 15V, Tj = 25

 8.1. Size:98K  renesas
 rjh1bf6rdpq-80.pdf

RJH1BF7RDPQ-80 RJH1BF7RDPQ-80

Preliminary Datasheet RJH1BF6RDPQ-80 R07DS0393EJ0100Silicon N Channel IGBT Rev.1.00High Speed Power Switching May 16, 2011Features Voltage resonance circuit use Reverse conducting IGBT with monolithic body diode High efficiency device for induction heating Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.7 V typ. (at IC = 30 A, VGE = 15 V, Tj = 2

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , GT30F126 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

 

 
Back to Top