Справочник IGBT. HGT1S3N60A4S

 

HGT1S3N60A4S Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: HGT1S3N60A4S
   Тип транзистора: IGBT
   Маркировка: 3N60A4
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 17 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 11 nS
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 21 nC
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для HGT1S3N60A4S

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

HGT1S3N60A4S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:644K  1
 hgtd3n60a4s hgt1s3n60a4s hgtp3n60a4.pdf pdf_icon

HGT1S3N60A4S

 3.1. Size:677K  1
 hgt1s3n60a4ds hgtp3n60a4d.pdf pdf_icon

HGT1S3N60A4S

 5.1. Size:810K  1
 hgtd3n60b3 hgtd3n60b3s hgt1s3n60b3 hgt1s3n60b3s hgtp3n60b3.pdf pdf_icon

HGT1S3N60A4S

 5.2. Size:390K  1
 hgtp3n60c3d hgt1s3n60c3d hgt1s3n60c3ds.pdf pdf_icon

HGT1S3N60A4S

HGTP3N60C3D, HGT1S3N60C3D,S E M I C O N D U C T O RHGT1S3N60C3DS6A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTwith Anti-Parallel Hyperfast DiodeMay 1996Features PackagingJEDEC TO-220AB 6A, 600V at TC = +25oCEMITTERCOLLECTOR 600V Switching SOA CapabilityGATE Typical Fall Time - 130ns at TJ = +150oCCOLLECTOR (FLANGE) Short Circuit Rating Low Conduction Loss

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HGT1S20N60C3RS , HGT1S20N60C3RS9A , HGT1S20N60C3S , HGT1S2N120BNDS , HGT1S2N120BNS , HGT1S2N120CNDS , HGT1S2N120CN , HGT1S3N60A4DS , FGH40N60UFD , HGT1S3N60B3 , HGT1S3N60B3DS , HGT1S3N60B3S , HGT1S3N60C3D , HGT1S3N60C3DS , HGT1S3N60C3DS9A , HGT1S5N120BNDS , HGT1S5N120BNS .

History: MMG05N60D

 

 
Back to Top

 


 
.