TGAN25N120ND Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: TGAN25N120ND
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 65 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 105 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 230 nC
Тип корпуса: TO3PN
- подбор IGBT транзистора по параметрам
TGAN25N120ND Datasheet (PDF)
tgan25n120nd.pdf

TGAN25N120NDNPT Trench IGBTFeatures: 1200V NPT Trench Technology High Speed Switching Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy parallel Operation RoHS compliant JEDEC QualificationEApplications :CInduction Heating, Soft switching application GDevice Package Marking RemarkTGAN25N120ND TO-3PN TGAN25N120ND RoHSAbsolute Maximum R
tgan25n120fdr.pdf

TGAN25N120FDRField Stop Trench IGBTFeatures 1200V Field Stop Trench IGBT Technology High Speed Switching Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation Short Circuit Withstanding Time 5s RoHS Compliant JEDEC QualificationECGApplicationsUPS, Welder, Inverter, SolarDevice Package Marking RemarkTGAN25N120FDR
tgan20s150fd.pdf

TGAN20S150FDReverse Conducting Field Stop Trench IGBTFeaturesTO 3PN 1500V Reverse Conducting Field Stop Trench IGBT Technology High Speed Switching Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation 175 Operating Temperature RoHS Compliant JEDEC QualificationECGApplications Induction Heating, Inverterize
tgan20s135fd.pdf

TGAN20S135FDReverse Conducting Field Stop Trench IGBTFeatures 1350V Reverse Conducting Field Stop Trench IGBT Technology Excellent EMI Behavior High Speed Switching Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation 175 Operating Temperature RoHS Compliant JEDEC QualificationECApplicationsG Induction Heat
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
mje15033 | 2sc945 datasheet | a92 transistor | rfp50n06 | bd140 datasheet | tip2955 | tip35 | 2sk117