AOK50B60D1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: AOK50B60D1
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 70 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 308 pF
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для AOK50B60D1
AOK50B60D1 Datasheet (PDF)
aok50b60d1.pdf

AOK50B60D1TM600V, 50A Alpha IGBT with DiodeGeneral Description Product Summary VCE600VThe Alpha IGBTTM line of products offers best-in-class IC (TC=100C) 50Aperformance in conduction and switching losses, withrobust short circuit capability. They are designed for ease VCE(sat) (TC=25C) 1.85Vof paralleling, minimal gate spike under high dV/dtconditions and resistance
aok50b65m2.pdf

AOK50B65M2TM650V, 50A Alpha IGBTWith soft and fast recovery anti-parallel diodeGeneral Description Product SummaryVCE Latest AlphaIGBT ( IGBT) technology 650V 650V breakdown voltageIC (TC=100C) 50A Very fast and soft recovery freewheeling diodeVCE(sat) (TJ=25C) 1.72V High efficient turn-on di/dt controllability Low VCE(SAT) enables high efficiencies
aok50b65h1.pdf

AOK50B65H1TM650V, 50A Alpha IGBTWith soft and fast recovery anti-parallel diodeGeneral Description Product SummaryVCE650V Latest Alpha IGBT ( IGBT) technology 650V breakdown voltageIC (TC=100 50AC) Very fast and soft recovery freewheeling diodeVCE(sat) (TJ=25 1.9VC) High efficient turn-on di/dt controllability Very high switching speed Low
Другие IGBT... APT35GA90S , APT35GA90SD15 , IXYR50N120C3D1 , APT33GF120BRG , RJH60F6BDPQ-A0 , AP50G60SW-HF , BSM100GAL120DLCK , TGAN25N120ND , GT30F126 , AOK40B60D , CIF25P120P , RJH60F7BDPQ-A0 , APT45GP120JDQ2 , APT50GP60JDQ2 , TGAN30N120FD , TGH30N120FD , APT44GA60B .
History: MWI451-17E9 | IXSP15N120B | CM1400DU-24NF | F3L300R12ME4-B23 | F4-30R06W1E3 | CM200DU-12NFH | F3L100R07W2E3_B11
History: MWI451-17E9 | IXSP15N120B | CM1400DU-24NF | F3L300R12ME4-B23 | F4-30R06W1E3 | CM200DU-12NFH | F3L100R07W2E3_B11



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sc945 datasheet | a92 transistor | rfp50n06 | bd140 datasheet | tip2955 | tip35 | 2sk117 | irf9540n datasheet