TGAN30N120FD - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: TGAN30N120FD
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 329 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7.5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 105 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 220 nC
Тип корпуса: TO3PN
Аналог (замена) для TGAN30N120FD
TGAN30N120FD Datasheet (PDF)
tgan30n120fd.pdf
TGAN30N120FDField Stop Trench IGBTFeatures: 1200V Field Stop Trench Technology High Speed Switching Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy parallel Operation RoHS compliant JEDEC QualificationEApplications :CInduction Heating, Soft switching application GDevice Package Marking RemarkTGAN30N120FD TO-3PN TGAN30N120FD RoHSAbso
tgan30n135fd1.pdf
TGAN30N135FD1Field Stop Trench IGBTFeatures TO 3PN 1350V Field Stop Trench IGBT Technology High Speed Switching Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation RoHS Compliant JEDEC QualificationECGApplicationsInduction Heating, Soft switching applicationDevice Package Marking RemarkTGAN30N135FD1 TO-3PN TGAN30N
tgan30s160fd.pdf
TGAN30S160FDReverse Conducting Field Stop Trench IGBTFeatures 1600V Reverse Conducting Field Stop Trench Technology High Speed Switching Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation 175 Operating Temperature RoHS Compliant JEDEC QualificationEApplicationsC Induction Heating G Inverterized microwave ov
tgan30s135fd.pdf
TGAN30S135FDReverse Conducting Field Stop Trench IGBTFeatures 1350V Reverse Conducting Field Stop Trench IGBT Technology High Speed Switching Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation 175 Operating Temperature RoHS Compliant JEDEC QualificationEApplicationsC Induction Heating G Inverterized microwa
Другие IGBT... BSM100GAL120DLCK , TGAN25N120ND , AOK50B60D1 , AOK40B60D , CIF25P120P , RJH60F7BDPQ-A0 , APT45GP120JDQ2 , APT50GP60JDQ2 , GT30G124 , TGH30N120FD , APT44GA60B , APT44GA60BD30 , APT44GA60S , APT44GA60SD30 , APT43GA90B , APT43GA90BD30 , APT43GA90S .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2