Справочник IGBT. HGT1S3N60B3S

 

HGT1S3N60B3S Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: HGT1S3N60B3S
   Тип транзистора: IGBT
   Маркировка: G3N60B3
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33.3 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 7 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 16 nS
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 18 nC
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для HGT1S3N60B3S

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

HGT1S3N60B3S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:810K  1
 hgtd3n60b3 hgtd3n60b3s hgt1s3n60b3 hgt1s3n60b3s hgtp3n60b3.pdf pdf_icon

HGT1S3N60B3S

 3.1. Size:154K  1
 hgtp3n60b3d hgt1s3n60b3ds.pdf pdf_icon

HGT1S3N60B3S

HGTP3N60B3D, HGT1S3N60B3DSData Sheet January 2000 File Number 4414.17A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with FeaturesAnti-Parallel Hyperfast Diode 7A, 600V TC = 25oCThe HGTP3N60B3D and HGT1S3N60B3DS are MOS gated 600V Switching SOA Capabilityhigh voltage switching devices combining the best features Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 115ns at TJ = 125oCo

 5.1. Size:644K  1
 hgtd3n60a4s hgt1s3n60a4s hgtp3n60a4.pdf pdf_icon

HGT1S3N60B3S

 5.2. Size:677K  1
 hgt1s3n60a4ds hgtp3n60a4d.pdf pdf_icon

HGT1S3N60B3S

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HGT1S2N120BNDS , HGT1S2N120BNS , HGT1S2N120CNDS , HGT1S2N120CN , HGT1S3N60A4DS , HGT1S3N60A4S , HGT1S3N60B3 , HGT1S3N60B3DS , FGH40N60SFD , HGT1S3N60C3D , HGT1S3N60C3DS , HGT1S3N60C3DS9A , HGT1S5N120BNDS , HGT1S5N120BNS , HGT1S5N120CNDS , HGT1S5N120CNS , HGT1S7N60A4DS .

History: NTE3323

 

 
Back to Top

 


 
.