HGT1S3N60C3DS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: HGT1S3N60C3DS  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 6 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 10 nS

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для HGT1S3N60C3DS

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

HGT1S3N60C3DS даташит

 ..1. Size:390K  1
 hgtp3n60c3d hgt1s3n60c3d hgt1s3n60c3ds.pdf pdf_icon

HGT1S3N60C3DS

 5.1. Size:810K  1
 hgtd3n60b3 hgtd3n60b3s hgt1s3n60b3 hgt1s3n60b3s hgtp3n60b3.pdf pdf_icon

HGT1S3N60C3DS

 5.2. Size:644K  1
 hgtd3n60a4s hgt1s3n60a4s hgtp3n60a4.pdf pdf_icon

HGT1S3N60C3DS

 5.3. Size:677K  1
 hgt1s3n60a4ds hgtp3n60a4d.pdf pdf_icon

HGT1S3N60C3DS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HGT1S2N120CNDS, HGT1S2N120CN, HGT1S3N60A4DS, HGT1S3N60A4S, HGT1S3N60B3, HGT1S3N60B3DS, HGT1S3N60B3S, HGT1S3N60C3D, GT50JR22, HGT1S3N60C3DS9A, HGT1S5N120BNDS, HGT1S5N120BNS, HGT1S5N120CNDS, HGT1S5N120CNS, HGT1S7N60A4DS, HGT1S7N60B3, HGT1S7N60B3D