VS-GA100TS120UPBF - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: VS-GA100TS120UPBF
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 520 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 182 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.25 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 85 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 830 pF
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для VS-GA100TS120UPBF
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
VS-GA100TS120UPBF даташит
vs-ga100ts120upbf.pdf
VS-GA100TS120UPbF www.vishay.com Vishay Semiconductors INT-A-PAK Half-Bridge (Ultrafast Speed IGBT), 100 A FEATURES Generation 4 IGBT technology Ultrafast Optimized for high speed 8 kHz to 40 kHz in hard switching, > 200 kHz in resonant mode Very low conduction and switching losses HEXFRED antiparallel diodes with ultrasoft recovery Industry standard
vs-ga100ts60sfpbf.pdf
VS-GA100TS60SFPbF www.vishay.com Vishay Semiconductors Half-Bridge IGBT INT-A-PAK, (Standard Speed IGBT), 100 A FEATURES Standard speed PT IGBT technology Optimized for hard switching speed FRED Pt antiparallel diodes with fast recovery Very low conduction losses Al2O3 DBC UL approved file E78996 Designed for industrial level Material catego
vs-ga100na60up.pdf
VS-GA100NA60UP www.vishay.com Vishay Semiconductors Insulated Gate Bipolar Transistor (Warp 2 Speed IGBT), 100 A FEATURES Ultrafast Optimized for minimum saturation voltage and speed 0 to 40 kHz in hard switching, > 200 kHz in resonant mode Very low conduction and switching losses Fully isolated package (2500 VAC/RMS) Very low internal inductance ( 5 nH typical)
Другие IGBT... APT100GT60JRDQ4 , APT60GT60BRG , APT60GT60SRG , APT200GT60JR , APT68GA60B , APT68GA60B2D40 , APT68GA60LD40 , APT68GA60S , STGW60V60DF , APT75GN60BG , APT150GN60B2G , APT150GN60J , APT150GN60JDQ4 , APT150GN60LDQ4G , APT35GP120BG , APT40GP90B2DQ2G , APT40GP90BG .
History: APT75GN120J | APT50GF120B2R | TGL40N120ND | APT80GA90LD40 | APT150GN60LDQ4G | TSG60N100CE
History: APT75GN120J | APT50GF120B2R | TGL40N120ND | APT80GA90LD40 | APT150GN60LDQ4G | TSG60N100CE
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
ksc1815 | bu406 | j201 datasheet | 2n5088 datasheet | irfp064n | tip31 transistor | 2sc1384 | mj21196g



