HGT1S3N60C3DS9A - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: HGT1S3N60C3DS9A
Тип транзистора: IGBT + Diode
Маркировка: G3N60C3D
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 6 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 10 nS
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 10.8 nC
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для HGT1S3N60C3DS9A
HGT1S3N60C3DS9A Datasheet (PDF)
hgtp3n60c3d hgt1s3n60c3d hgt1s3n60c3ds.pdf
HGTP3N60C3D, HGT1S3N60C3D,S E M I C O N D U C T O RHGT1S3N60C3DS6A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTwith Anti-Parallel Hyperfast DiodeMay 1996Features PackagingJEDEC TO-220AB 6A, 600V at TC = +25oCEMITTERCOLLECTOR 600V Switching SOA CapabilityGATE Typical Fall Time - 130ns at TJ = +150oCCOLLECTOR (FLANGE) Short Circuit Rating Low Conduction Loss
hgtp3n60b3d hgt1s3n60b3ds.pdf
HGTP3N60B3D, HGT1S3N60B3DSData Sheet January 2000 File Number 4414.17A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with FeaturesAnti-Parallel Hyperfast Diode 7A, 600V TC = 25oCThe HGTP3N60B3D and HGT1S3N60B3DS are MOS gated 600V Switching SOA Capabilityhigh voltage switching devices combining the best features Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 115ns at TJ = 125oCo
Другие IGBT... HGT1S2N120CN , HGT1S3N60A4DS , HGT1S3N60A4S , HGT1S3N60B3 , HGT1S3N60B3DS , HGT1S3N60B3S , HGT1S3N60C3D , HGT1S3N60C3DS , MBQ60T65PES , HGT1S5N120BNDS , HGT1S5N120BNS , HGT1S5N120CNDS , HGT1S5N120CNS , HGT1S7N60A4DS , HGT1S7N60B3 , HGT1S7N60B3D , HGT1S7N60B3DS .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2