Справочник IGBT. IXYX120N120C3

 

IXYX120N120C3 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXYX120N120C3
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1500 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 220 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.9 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 70 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 560 pF
   Тип корпуса: PLUS247
 

 Аналог (замена) для IXYX120N120C3

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXYX120N120C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:212K  ixys
 ixyk120n120c3 ixyx120n120c3.pdf pdf_icon

IXYX120N120C3

1200V XPTTM IGBTs VCES = 1200VIXYK120N120C3GenX3TM IC110 = 120AIXYX120N120C3 VCE(sat) 3.20V tfi(typ) = 96nsHigh-Speed IGBTsfor 20-50 kHz SwitchingTO-264 (IXYK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGCVCES TJ = 25C to 175C 1200 V ETabVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 1200 VVGES Continuous

 ..2. Size:204K  ixys
 ixyx120n120c3.pdf pdf_icon

IXYX120N120C3

Advance Technical Information1200V XPTTM IGBTs VCES = 1200VIXYK120N120C3GenX3TM IC110 = 120AIXYX120N120C3 VCE(sat) 3.5V tfi(typ) = 90nsHigh-Speed IGBTsfor 20-50 kHz SwitchingTO-264 (IXYK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGCVCES TJ = 25C to 175C 1200 V ETabVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 1200 VVGES Continuous 20 V PLUS247

 3.1. Size:164K  ixys
 ixyx120n120b3.pdf pdf_icon

IXYX120N120C3

Advance Technical Information1200V XPTTM IGBT VCES = 1200VIXYK120N120B3GenX3TM IC110 = 120AIXYX120N120B3 VCE(sat) 2.2V tfi(typ) = 260nsHigh-Speed IGBTfor 10-30 kHz SwitchingTO-264P (IXYK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 1200 VGVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 120

 9.1. Size:205K  ixys
 ixyx140n90c3.pdf pdf_icon

IXYX120N120C3

Preliminary Technical Information900V XPTTM IGBTs VCES = 900VIXYK140N90C3GenX3TM IC110 = 140AIXYX140N90C3 VCE(sat) 2.7V tfi(typ) = 105nsHigh-Speed IGBTsfor 20-50 kHz SwitchingTO-264 (IXYK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGCVCES TJ = 25C to 175C 900 V ETabVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 900 VVGES Continuous 20 V PLUS247 (

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT50GT120B2RG , MPMB100B120RH , APT150GN120J , APT60GF120JRDQ3 , APT100GN60LDQ4G , 1MBI300N-120 , IXYX140N90C3 , 1MBI200N-120 , SGT40N60NPFDPN , MPMD200B120RH , IXYX100N120C3 , APT80GP60B2G , APT75GP120B2G , APT100GN120B2G , MPMC200B120RH , F3L300R07PE4 , APT65GP60L2DQ2G .

History: MMG200S060B6EN

 

 
Back to Top

 


 
.