MPMD150B120RH - аналоги и описание IGBT

 

MPMD150B120RH - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: MPMD150B120RH

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 833 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 70 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 740 pF

Тип корпуса: 7DM3

 Аналог (замена) для MPMD150B120RH

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MPMD150B120RH даташит

 ..1. Size:1231K  magnachip
 mpmd150b120rh.pdf pdf_icon

MPMD150B120RH

MPMD150B120RH NPT & Rugged Type 1200V IGBT Module General Description Features MagnaChip s IGBT Module 7DM-3 package BV = 1200V CES Low Conduction Loss V = 2.8V (typ.) CE(sat) devices are optimized to reduce losses and Fast & Soft Anti-Parallel FWD switching noise in high frequency power Short circuit rated Min. 10us at TC=100 Isolation Typ

 9.1. Size:1241K  magnachip
 mpmd100b120rh.pdf pdf_icon

MPMD150B120RH

MPMD100B120RH NPT & Rugged Type 1200V IGBT Module General Description Features MagnaChip s IGBT Module 7DM-3 package BVCES= 1200V Low Conduction Loss VCE(sat) = 2.7V (typ.) devices are optimized to reduce losses and Fast & Soft Anti-Parallel FWD switching noise in high frequency power Short circuit rated Min. 10us at TC=100 Isolation Type Packa

Другие IGBT... MPMD200B120RH , IXYX100N120C3 , APT80GP60B2G , APT75GP120B2G , APT100GN120B2G , MPMC200B120RH , F3L300R07PE4 , APT65GP60L2DQ2G , IHW20N120R3 , IXYT80N90C3 , APT102GA60B2 , APT102GA60L , MPMD100B120RH , IRGPS4067D , MPMC150B120RH , MPMC100B120RH , APT200GN60B2G .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.