Справочник IGBT. MPMD150B120RH

 

MPMD150B120RH Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MPMD150B120RH
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 833 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 70 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 740 pF
   Тип корпуса: 7DM3
 

 Аналог (замена) для MPMD150B120RH

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MPMD150B120RH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1231K  magnachip
 mpmd150b120rh.pdf pdf_icon

MPMD150B120RH

MPMD150B120RH NPT & Rugged Type 1200V IGBT Module General Description Features MagnaChips IGBT Module 7DM-3 package BV = 1200V CES Low Conduction Loss : V = 2.8V (typ.) CE(sat)devices are optimized to reduce losses and Fast & Soft Anti-Parallel FWD switching noise in high frequency power Short circuit rated : Min. 10us at TC=100 Isolation Typ

 9.1. Size:1241K  magnachip
 mpmd100b120rh.pdf pdf_icon

MPMD150B120RH

MPMD100B120RH NPT & Rugged Type 1200V IGBT Module General Description Features MagnaChips IGBT Module 7DM-3 package BVCES= 1200V Low Conduction Loss : VCE(sat) = 2.7V (typ.) devices are optimized to reduce losses and Fast & Soft Anti-Parallel FWD switching noise in high frequency power Short circuit rated : Min. 10us at TC=100 Isolation Type Packa

Другие IGBT... MPMD200B120RH , IXYX100N120C3 , APT80GP60B2G , APT75GP120B2G , APT100GN120B2G , MPMC200B120RH , F3L300R07PE4 , APT65GP60L2DQ2G , SGT50T65FD1PN , IXYT80N90C3 , APT102GA60B2 , APT102GA60L , MPMD100B120RH , IRGPS4067D , MPMC150B120RH , MPMC100B120RH , APT200GN60B2G .

History: VS-GT75NP120N

 

 
Back to Top

 


 
.