Справочник IGBT. MPMC150B120RH

 

MPMC150B120RH - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MPMC150B120RH
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 735 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 740 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 580 nC
   Тип корпуса: 7DM2

 Аналог (замена) для MPMC150B120RH

 

 

MPMC150B120RH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1183K  magnachip
 mpmc150b120rh.pdf

MPMC150B120RH MPMC150B120RH

MPMC150B120RH NPT & Rugged Type 1200V IGBT Module General Description Features MagnaChips IGBT Module 7DM-2 package BV = 1200V CES Low Conduction Loss : V = 2.8V (typ.) CE(sat)devices are optimized to reduce losses and Fast & Soft Anti-Parallel FWD switching noise in high frequency power Short circuit rated : Min. 10us at TC=100 Isolation Typ

 9.1. Size:1188K  magnachip
 mpmc100b120rh.pdf

MPMC150B120RH MPMC150B120RH

MPMC100B120RH NPT & Rugged Type 1200V IGBT Module General Description Features MagnaChips IGBT Module 7DM-2 package BV = 1200V CES Low Conduction Loss : V = 2.8V (typ.) CE(sat)devices are optimized to reduce losses and Fast & Soft Anti-Parallel FWD switching noise in high frequency power Short circuit rated : Min. 10us at TC=100 Isolation Type

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top