Справочник IGBT. MPMC150B120RH

 

MPMC150B120RH Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MPMC150B120RH
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 735 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 740 pF
   Тип корпуса: 7DM2
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

MPMC150B120RH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1183K  magnachip
 mpmc150b120rh.pdf pdf_icon

MPMC150B120RH

MPMC150B120RH NPT & Rugged Type 1200V IGBT Module General Description Features MagnaChips IGBT Module 7DM-2 package BV = 1200V CES Low Conduction Loss : V = 2.8V (typ.) CE(sat)devices are optimized to reduce losses and Fast & Soft Anti-Parallel FWD switching noise in high frequency power Short circuit rated : Min. 10us at TC=100 Isolation Typ

 9.1. Size:1188K  magnachip
 mpmc100b120rh.pdf pdf_icon

MPMC150B120RH

MPMC100B120RH NPT & Rugged Type 1200V IGBT Module General Description Features MagnaChips IGBT Module 7DM-2 package BV = 1200V CES Low Conduction Loss : V = 2.8V (typ.) CE(sat)devices are optimized to reduce losses and Fast & Soft Anti-Parallel FWD switching noise in high frequency power Short circuit rated : Min. 10us at TC=100 Isolation Type

Другие IGBT... F3L300R07PE4 , APT65GP60L2DQ2G , MPMD150B120RH , IXYT80N90C3 , APT102GA60B2 , APT102GA60L , MPMD100B120RH , IRGPS4067D , GT30J127 , MPMC100B120RH , APT200GN60B2G , TGL40N120FD , TGL40N120ND , IGW75N60H3 , IKW75N60H3 , APT25GP120BG , APT25GP90BG .

History: PPNHZ52F120B | VS-GA100NA60UP | APT46GA90JD40 | IXER20N120D1 | DGW30N65BTH

 

 
Back to Top

 


 
.