MPMC100B120RH - аналоги и описание IGBT

 

MPMC100B120RH - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: MPMC100B120RH

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 694 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 55 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 518 pF

Тип корпуса: 7DM2

 Аналог (замена) для MPMC100B120RH

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MPMC100B120RH даташит

 ..1. Size:1188K  magnachip
 mpmc100b120rh.pdf pdf_icon

MPMC100B120RH

MPMC100B120RH NPT & Rugged Type 1200V IGBT Module General Description Features MagnaChip s IGBT Module 7DM-2 package BV = 1200V CES Low Conduction Loss V = 2.8V (typ.) CE(sat) devices are optimized to reduce losses and Fast & Soft Anti-Parallel FWD switching noise in high frequency power Short circuit rated Min. 10us at TC=100 Isolation Type

 9.1. Size:1183K  magnachip
 mpmc150b120rh.pdf pdf_icon

MPMC100B120RH

MPMC150B120RH NPT & Rugged Type 1200V IGBT Module General Description Features MagnaChip s IGBT Module 7DM-2 package BV = 1200V CES Low Conduction Loss V = 2.8V (typ.) CE(sat) devices are optimized to reduce losses and Fast & Soft Anti-Parallel FWD switching noise in high frequency power Short circuit rated Min. 10us at TC=100 Isolation Typ

Другие IGBT... APT65GP60L2DQ2G , MPMD150B120RH , IXYT80N90C3 , APT102GA60B2 , APT102GA60L , MPMD100B120RH , IRGPS4067D , MPMC150B120RH , IRGP4063D , APT200GN60B2G , TGL40N120FD , TGL40N120ND , IGW75N60H3 , IKW75N60H3 , APT25GP120BG , APT25GP90BG , AOK60B60D1 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.