AOK60B60D1 - аналоги и описание IGBT

 

AOK60B60D1 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: AOK60B60D1

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 417 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 120 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 76 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 369 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для AOK60B60D1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

AOK60B60D1 даташит

 ..1. Size:725K  aosemi
aok60b60d1.pdfpdf_icon

AOK60B60D1

AOK60B60D1 TM 600V, 60A Alpha IGBT with Diode General Description Product Summary VCE 600V The Alpha IGBTTM line of products offers best-in-class IC (TC=100 C) 60A performance in conduction and switching losses, with robust short circuit capability. They are designed for ease VCE(sat) (TC=25 C) 1.85V of paralleling, minimal gate spike under high dV/dt conditions and resistance

 7.1. Size:590K  aosemi
aok60b65h1.pdfpdf_icon

AOK60B60D1

AOK60B65H1 TM 650V, 60A Alpha IGBT With soft and fast recovery anti-parallel diode General Description Product Summary VCE 650V Latest Alpha IGBT ( IGBT) technology 650V breakdown voltage IC (TC=100 60A C) Very fast and soft recovery freewheeling diode VCE(sat) (TJ=25 1.88V C) High efficient turn-on di/dt controllability Very high switching speed Lo

 7.2. Size:602K  aosemi
aok60b65hq3.pdfpdf_icon

AOK60B60D1

AOK60B65HQ3 TM 650V, 60A AlphaIGBT With soft and fast recovery anti-parallel diode General Description Product Summary VCE 650V 650V breakdown voltage High switching speed IC (TC=100 C) 60A Very low Vf and Qrr VCE(sat) (TJ=25 C) 1.95V Low turn-off switching loss and softness Very good EMI behavior Latest AlphaIGBT technology Applications PFC applic

 7.3. Size:1105K  aosemi
aok60b65h2al.pdfpdf_icon

AOK60B60D1

AOK60B65H2AL TM 650V, 60A AlphaIGBT With soft and fast recovery anti-parallel diode General Description Product Summary VCE Latest AlphaIGBT ( IGBT) Technology 650V 650V Breakdown voltage IC (TC=100 C) 60A Very fast and soft recovery freewheeling diode VCE(sat) (TJ=25 C) 1.95V High efficient turn-on di/dt controllability Very high switching speed Low Turn

Другие IGBT... MPMC100B120RH , APT200GN60B2G , TGL40N120FD , TGL40N120ND , IGW75N60H3 , IKW75N60H3 , APT25GP120BG , APT25GP90BG , IKW50N60T , APT50GS60BRDQ2G , APT50GS60SRDQ2G , IRG7PH46UD-E , IRG7PH42U-EP , APT50GN60BG , APT60GA60JD60 , IRGP4063-E , IRG7PH42UD-EP .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.