Справочник IGBT. NGD18N40A

 

NGD18N40A Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: NGD18N40A
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 430 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 18 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 15 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 4500 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 75 pF
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для NGD18N40A

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

NGD18N40A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:126K  onsemi
 ngd18n40a.pdf pdf_icon

NGD18N40A

NGD18N40CLB,NGD18N40ACLBIgnition IGBT, 18 A, 400 VN-Channel DPAKThis Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) featuresmonolithic circuitry integrating ESD and Over-Voltage clampedhttp://onsemi.comprotection for use in inductive coil drivers applications. Primary usesinclude Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and18 AMPS, 400 VOLTShigh curren

 6.1. Size:126K  1
 ngd18n40clb.pdf pdf_icon

NGD18N40A

NGD18N40CLB,NGD18N40ACLBIgnition IGBT, 18 A, 400 VN-Channel DPAKThis Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) featuresmonolithic circuitry integrating ESD and Over-Voltage clampedhttp://onsemi.comprotection for use in inductive coil drivers applications. Primary usesinclude Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and18 AMPS, 400 VOLTShigh curren

 7.1. Size:132K  onsemi
 ngd18n45.pdf pdf_icon

NGD18N40A

NGD18N45CLBIgnition IGBT18 Amps, 450 VoltsN-Channel DPAKThis Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) featuresmonolithic circuitry integrating ESD and Over-Voltage clampedhttp://onsemi.comprotection for use in inductive coil drivers applications. Primary usesinclude Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and18 AMPShigh current switching is requ

 7.2. Size:132K  onsemi
 ngd18n45clbt4g.pdf pdf_icon

NGD18N40A

NGD18N45CLBIgnition IGBT18 Amps, 450 VoltsN-Channel DPAKThis Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) featuresmonolithic circuitry integrating ESD and Over-Voltage clampedhttp://onsemi.comprotection for use in inductive coil drivers applications. Primary usesinclude Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and18 AMPShigh current switching is requ

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT15GT60BRG , RJH1CF4RDPQ-80 , APT11GF120BRDQ1G , APT11GF120KRG , NGB8245 , STGP19NC60H , NGB18N40A , NGB8204A , IRG4PC50U , NGB15N41A , NGD15N41A , APT12GT60BRG , IXYJ20N120C3D1 , AP20GT60P-HF , IRG4BC30UDPBF , IRGSL6B60K , STGFW30NC60V .

History: CM10MD-24H | IXGH48N60B3

 

 
Back to Top

 


 
.