Справочник IGBT. NGD18N40A

 

NGD18N40A Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: NGD18N40A
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 430 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 18 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 15 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 4500 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 75 pF
   Тип корпуса: TO252
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

NGD18N40A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:126K  onsemi
 ngd18n40a.pdf pdf_icon

NGD18N40A

NGD18N40CLB,NGD18N40ACLBIgnition IGBT, 18 A, 400 VN-Channel DPAKThis Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) featuresmonolithic circuitry integrating ESD and Over-Voltage clampedhttp://onsemi.comprotection for use in inductive coil drivers applications. Primary usesinclude Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and18 AMPS, 400 VOLTShigh curren

 6.1. Size:126K  1
 ngd18n40clb.pdf pdf_icon

NGD18N40A

NGD18N40CLB,NGD18N40ACLBIgnition IGBT, 18 A, 400 VN-Channel DPAKThis Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) featuresmonolithic circuitry integrating ESD and Over-Voltage clampedhttp://onsemi.comprotection for use in inductive coil drivers applications. Primary usesinclude Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and18 AMPS, 400 VOLTShigh curren

 7.1. Size:132K  onsemi
 ngd18n45.pdf pdf_icon

NGD18N40A

NGD18N45CLBIgnition IGBT18 Amps, 450 VoltsN-Channel DPAKThis Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) featuresmonolithic circuitry integrating ESD and Over-Voltage clampedhttp://onsemi.comprotection for use in inductive coil drivers applications. Primary usesinclude Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and18 AMPShigh current switching is requ

 7.2. Size:132K  onsemi
 ngd18n45clbt4g.pdf pdf_icon

NGD18N40A

NGD18N45CLBIgnition IGBT18 Amps, 450 VoltsN-Channel DPAKThis Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) featuresmonolithic circuitry integrating ESD and Over-Voltage clampedhttp://onsemi.comprotection for use in inductive coil drivers applications. Primary usesinclude Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and18 AMPShigh current switching is requ

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: HGT1S7N60B3D | APTGF50X60BTP3 | MMG300Q060B6TC | IXYH40N65B3D1 | IRG4BC30K-S | CM100TL-24NF

 

 
Back to Top

 


 
.