IRG4BC30UDPBF - аналоги и описание IGBT

 

IRG4BC30UDPBF - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IRG4BC30UDPBF

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 23 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.52 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 21 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 73 pF

Тип корпуса: TO220AB

 Аналог (замена) для IRG4BC30UDPBF

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IRG4BC30UDPBF даташит

 ..1. Size:381K  international rectifier
 irg4bc30udpbf.pdf pdf_icon

IRG4BC30UDPBF

PD-94810A IRG4BC30UDPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH UltraFast CoPack IGBT ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features UltraFast Optimized for high operating C frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 VCES = 600V kHz in resonant mode Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than VCE(on) typ. = 1.95V G Generation

 4.1. Size:237K  international rectifier
 irg4bc30ud.pdf pdf_icon

IRG4BC30UDPBF

PD 91453B IRG4BC30UD UltraFast CoPack IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE C Features Features Features Features Features UltraFast Optimized for high operating VCES = 600V frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode VCE(on) typ. = 1.95V Generation 4 IGBT design provides tighter G parameter distribution an

 5.1. Size:173K  international rectifier
 irg4bc30u.pdf pdf_icon

IRG4BC30UDPBF

D I I T I T D T I T I T Features C Features Features Features Features UltraFast optimized for high operating VCES = 600V frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode Generation 4 IGBT design provides tighter VCE(on) typ. = 1.95V G parameter distribution and higher efficiency than Generation

 5.2. Size:324K  international rectifier
 auirg4bc30u-s.pdf pdf_icon

IRG4BC30UDPBF

PD - 96335 AUTOMOTIVE GRADE AUIRG4BC30U-S AUIRG4BC30U-SL UltraFast Speed IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR C VCES = 600V Features VCE(on) typ. = 1.95V G UltraFast Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, E @VGE = 15V, IC = 12A >200 kHz in resonant mode n-channel Industry standard D2Pak & TO-262 package Lead-Free, RoHS Compliant

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NGB18N40A , NGB8204A , NGD18N40A , NGB15N41A , NGD15N41A , APT12GT60BRG , IXYJ20N120C3D1 , AP20GT60P-HF , FGL60N100BNTD , IRGSL6B60K , STGFW30NC60V , AOB5B60D , AP20GT60ASP-HF , IRG7RC10FD , IRG4BC20FD-S , TGD30N40P , AOD5B60D .

History: IQIB150N60B3 | IQIB75N60A3 | IQGB300N120GA4

 

 

 


 
↑ Back to Top
.