STGFW30NC60V Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: STGFW30NC60V
Тип транзистора: IGBT
Маркировка: GFW30NC60V
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 36 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.75 V
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 11 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 225 pF
Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 100 nC
Тип корпуса: TO3PF
Аналог (замена) для STGFW30NC60V
STGFW30NC60V Datasheet (PDF)
stgfw30nc60v.pdf

STGFW30NC60V30 A - 600 V - very fast IGBTDatasheet - production dataFeatures High frequency operation up to 50 kHz Lower CRES / CIES ratio (no cross-conduction susceptibility) High current capability111Applications32 High frequency inverters1 UPS, motor driversTO3-PF HF, SMPS and PFC in both hard switch and resonant topologiesDescription
stgfw30v60f.pdf

STGFW30V60F, STGW30V60F, STGWT30V60FTrench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speedDatasheet - production dataFeatures Maximum junction temperature: TJ = 175 C111 Tail-less switching off3 VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 30 A21TO-3PF Tight parameters distributionTab Safe paralleling Low thermal resistance3 322App
stgfw30v60df.pdf

STGFW30V60DFTrench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speedDatasheet - production dataFeatures Maximum junction temperature: TJ = 175 C Tail-less switching off VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 30 A111 Tight parameters distribution3 Safe paralleling2 Low thermal resistance1 Very fast soft recovery antiparallel diodeTO-3P
stgfw30h65fb stgw30h65fb.pdf

STGFW30H65FB, STGW30H65FBDatasheetTrench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBTFeatures Maximum junction temperature: TJ = 175 C High speed switching series Minimized tail current111 VCE(sat) = 1.55 V (typ.) at IC = 30 A32 31 21 Tight parameters distributionTO-247TO-3PF Safe paralleling Low thermal resistanceApplicati
Другие IGBT... NGD18N40A , NGB15N41A , NGD15N41A , APT12GT60BRG , IXYJ20N120C3D1 , AP20GT60P-HF , IRG4BC30UDPBF , IRGSL6B60K , XNF15N60T , AOB5B60D , AP20GT60ASP-HF , IRG7RC10FD , IRG4BC20FD-S , TGD30N40P , AOD5B60D , AOTF15B60D , AOTF10B60D .



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
mp38a | bc546 transistor | bd243 | 2sk170 datasheet | 2n7000 equivalent | tip31 | tip122 transistor | 2sc1079