STGFW30NC60V datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: STGFW30NC60V  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 36 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 11 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 225 pF

Тип корпуса: TO3PF

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для STGFW30NC60V

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

STGFW30NC60V даташит

 ..1. Size:751K  st
stgfw30nc60v.pdfpdf_icon

STGFW30NC60V

STGFW30NC60V 30 A - 600 V - very fast IGBT Datasheet - production data Features High frequency operation up to 50 kHz Lower CRES / CIES ratio (no cross-conduction susceptibility) High current capability 1 1 1 Applications 3 2 High frequency inverters 1 UPS, motor drivers TO3-PF HF, SMPS and PFC in both hard switch and resonant topologies Description

 7.1. Size:1472K  st
stgfw30v60f.pdfpdf_icon

STGFW30NC60V

STGFW30V60F, STGW30V60F, STGWT30V60F Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed Datasheet - production data Features Maximum junction temperature TJ = 175 C 1 1 1 Tail-less switching off 3 VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 30 A 2 1 TO-3PF Tight parameters distribution Tab Safe paralleling Low thermal resistance 3 3 2 2 App

 7.2. Size:1314K  st
stgfw30v60df.pdfpdf_icon

STGFW30NC60V

STGFW30V60DF Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed Datasheet - production data Features Maximum junction temperature TJ = 175 C Tail-less switching off VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 30 A 1 1 1 Tight parameters distribution 3 Safe paralleling 2 Low thermal resistance 1 Very fast soft recovery antiparallel diode TO-3P

 7.3. Size:432K  st
stgfw30h65fb stgw30h65fb.pdfpdf_icon

STGFW30NC60V

STGFW30H65FB, STGW30H65FB Datasheet Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT Features Maximum junction temperature TJ = 175 C High speed switching series Minimized tail current 1 1 1 VCE(sat) = 1.55 V (typ.) at IC = 30 A 3 2 3 1 2 1 Tight parameters distribution TO-247 TO-3PF Safe paralleling Low thermal resistance Applicati

Другие IGBT... NGD18N40A, NGB15N41A, NGD15N41A, APT12GT60BRG, IXYJ20N120C3D1, AP20GT60P-HF, IRG4BC30UDPBF, IRGSL6B60K, CRG75T65AK5HD, AOB5B60D, AP20GT60ASP-HF, IRG7RC10FD, IRG4BC20FD-S, TGD30N40P, AOD5B60D, AOTF15B60D, AOTF10B60D