Справочник IGBT. AOB5B60D

 

AOB5B60D Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: AOB5B60D
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 82.4 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 10 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 15 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 34 pF
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для AOB5B60D

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

AOB5B60D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:666K  aosemi
 aob5b60d.pdf pdf_icon

AOB5B60D

AOB5B60DTM600V, 5A Alpha IGBT with DiodeGeneral Description Product Summary VCE600VThe Alpha IGBTTM line of products offers best-in-class IC (TC=100C) 5Aperformance in conduction and switching losses, withrobust short circuit capability. They are designed for ease VCE(sat) (TC=25C) 1.55Vof paralleling, minimal gate spike under high dV/dtconditions and resistance to o

 8.1. Size:1331K  aosemi
 aob5b65m1.pdf pdf_icon

AOB5B60D

AOT5B65M1/AOB5B65M1TM650V, 5A Alpha IGBTWith soft and fast recovery anti-parallel diodeGeneral Description Product Summary VCE Latest AlphaIGBT ( IGBT) technology 650V 650V breakdown voltage IC (TC=100C) 5A Very fast and soft recovery freewheeling diode VCE(sat) (TJ=25C) 1.57V High efficient turn-on di/dt controllability Low VCE(SAT) enables high eff

Другие IGBT... NGB15N41A , NGD15N41A , APT12GT60BRG , IXYJ20N120C3D1 , AP20GT60P-HF , IRG4BC30UDPBF , IRGSL6B60K , STGFW30NC60V , FGH30S130P , AP20GT60ASP-HF , IRG7RC10FD , IRG4BC20FD-S , TGD30N40P , AOD5B60D , AOTF15B60D , AOTF10B60D , IRG7IC30FD .

History: DAZF150G120XCA | 2MBI100NC-120 | DL2G75SH6A | T2250AB25E | IXEH25N120D1 | SKB06N60HS | MMIX1G75N250

 

 
Back to Top

 


 
.