AOTF10B60D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: AOTF10B60D  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.53 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 15 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 68 pF

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для AOTF10B60D

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

AOTF10B60D даташит

 ..1. Size:728K  aosemi
 aotf10b60d.pdf pdf_icon

AOTF10B60D

AOTF10B60D TM 600V, 10A Alpha IGBT with Diode General Description Product Summary VCE 600V The Alpha IGBTTM line of products offers best-in-class IC (TC=100 C) 10A performance in conduction and switching losses, with robust short circuit capability. They are designed for ease VCE(sat) (TC=25 C) 1.53V of paralleling, minimal gate spike under high dV/dt conditions and resistance

 0.1. Size:721K  aosemi
 aotf10b60d2.pdf pdf_icon

AOTF10B60D

AOTF10B60D2 TM 600V, 10A Alpha IGBT with Diode General Description Product Summary VCE 600V The Alpha IGBTTM line of products offers best-in-class IC (TC=100 C) 10A performance in conduction and switching losses, with robust short circuit capability. They are designed for ease VCE(sat) (TJ=25 C) 1.55V of paralleling, minimal gate spike under high dV/dt conditions and resistance

 6.1. Size:1325K  aosemi
 aotf10b65m1.pdf pdf_icon

AOTF10B60D

AOTF10B65M1 TM 650V, 10A AlphaIGBT With soft and fast recovery anti-parallel diode General Description Product Summary VCE Latest AlphaIGBT ( IGBT) technology 650V 650V breakdown voltage IC (TC=100 10A C) Very fast and soft recovery freewheeling diode VCE(sat) (TJ=25 1.6V C) High efficient turn-on di/dt controllability Low VCE(sat) enables high efficiencie

 6.2. Size:1182K  aosemi
 aotf10b65m2.pdf pdf_icon

AOTF10B60D

AOTF10B65M2 TM 650V, 10A AlphaIGBT With soft and fast recovery anti-parallel diode General Description Product Summary VCE Latest AlphaIGBT( IGBT) technology 650V 650V breakdown voltage IC (TC=100 10A C) Very fast and soft recovery freewheeling diode VCE(sat) (TJ=25 1.6V C) High efficient turn-on di/dt controllability Low VCE(sat) enables high efficiencies

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STGFW30NC60V, AOB5B60D, AP20GT60ASP-HF, IRG7RC10FD, IRG4BC20FD-S, TGD30N40P, AOD5B60D, AOTF15B60D, IRG4PC40W, IRG7IC30FD, RJP60V0DPM, NTE3301, IRG7RC07SD, CPV363M4UPBF, CPV363M4KPBF, AP20GT60ASI-HF, AOTF5B60D