Справочник IGBT. AP20GT60ASI-HF

 

AP20GT60ASI-HF Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: AP20GT60ASI-HF
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 25 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 65 pF
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для AP20GT60ASI-HF

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

AP20GT60ASI-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:95K  ape
 ap20gt60asi-hf.pdf pdf_icon

AP20GT60ASI-HF

AP20GT60ASI-HFRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL INSULATED GATEElectronics Corp. BIPOLAR TRANSISTORFeaturesVCES 600V High Speed Switching IC 12AG Low Saturation Voltage CETO-220CFM(I)VCE(sat),typ.=1.7V@IC=12A C RoHS Compliant ProductGEAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVCES Collector-Emitter Voltage 600 VVGE Gate-Emitter

 4.1. Size:95K  ape
 ap20gt60asp-hf.pdf pdf_icon

AP20GT60ASI-HF

AP20GT60ASP-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL INSULATED GATEElectronics Corp. BIPOLAR TRANSISTORFeaturesVCES 600V High Speed Switching IC 19AG Low Saturation VoltageTO-220(P)CEVCE(sat),typ.=1.7V@IC=19A C RoHS Compliant ProductGEAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVCES Collector-Emitter Voltage 600 VVGE Gate-Emitter Vol

 6.1. Size:59K  ape
 ap20gt60p-hf.pdf pdf_icon

AP20GT60ASI-HF

AP20GT60P-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL INSULATED GATEElectronics Corp. BIPOLAR TRANSISTORFeaturesVCES 600V High Speed Switching IC 20AG Low Saturation VoltageTO-220(P)CEVCE(sat),typ.=1.8V@IC=20AC RoHS Compliant & Halogen-FreeGEAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVCESCollector-Emitter Voltage 600 VVGEGate-Emi

 6.2. Size:60K  ape
 ap20gt60sw.pdf pdf_icon

AP20GT60ASI-HF

AP20GT60SWRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL INSULATED GATEElectronics Corp. BIPOLAR TRANSISTORFeaturesVCES 600VC High Speed Switching IC 20A Low Saturation VoltageVCE(sat),Typ.=1.8V@IC=20A CG Built-in Fast Recovery DiodeC TO-3PGEEAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVCES Collector-Emitter Voltage 600 VVGE Gate-Emitter V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AOTF15B60D , AOTF10B60D , IRG7IC30FD , RJP60V0DPM , NTE3301 , IRG7RC07SD , CPV363M4UPBF , CPV363M4KPBF , NCE80TD65BT , AOTF5B60D , AP20GT60I , AP28G40GEM-HF , T0510VB45E , T0850VB25E , T0600TB45A , T1200TB25A , T0800EB45G .

History: F3L300R12ME4-B22 | IGU04N60T

 

 
Back to Top

 


 
.