Справочник IGBT. T0510VB45E

 

T0510VB45E Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: T0510VB45E
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4100 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 4500 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 510 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.75 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 3300 nS
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для T0510VB45E

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

T0510VB45E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:496K  ixys
 t0510vb45e.pdf pdf_icon

T0510VB45E

Date:- 1 October, 2012 Data Sheet Issue:- P1 Insulated Gate Bi-Polar Transistor Type T0510VB45E Absolute Maximum Ratings MAXIMUM VOLTAGE RATINGS UNITS LIMITS VCES Collector emitter voltage 4500 V VDC link Permanent DC voltage for 100 FIT failure rate. 2800 V VGES Peak gate emitter voltage 20 V MAXIMUM RATINGS UNITS LIMITS IC(DC) DC collector current, IGBT

Другие IGBT... NTE3301 , IRG7RC07SD , CPV363M4UPBF , CPV363M4KPBF , AP20GT60ASI-HF , AOTF5B60D , AP20GT60I , AP28G40GEM-HF , BT15T120ANF , T0850VB25E , T0600TB45A , T1200TB25A , T0800EB45G , T0800TB45E , T0900EB45A , FF1400R12IP4 , T2250AB25E .

History: IXXH80N65B4H1 | IXST30N60B | IGC04R60D | CM200RXL-24S | DGC60F65M | IXYR50N120C3D1 | TIG111GMH

 

 
Back to Top

 


 
.