HGT1S7N60C3DS9A - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: HGT1S7N60C3DS9A
Тип транзистора: IGBT + Diode
Маркировка: G7N60C3D
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 14 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 11.5 nS
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 23 nC
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для HGT1S7N60C3DS9A
HGT1S7N60C3DS9A Datasheet (PDF)
hgtp7n60c3d hgt1s7n60c3ds.pdf
HGTP7N60C3D, HGT1S7N60C3DSData Sheet December 200114A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT Featureswith Anti-Parallel Hyperfast Diodes 14A, 600V at TC = 25oCThe HGTP7N60C3D and HGT1S7N60C3DS are MOS gated 600V Switching SOA Capabilityhigh voltage switching devices combining the best features Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 140ns at TJ = 150oCof MOSFETs
hgt1s7n60c3ds hgtp7n60c3d.pdf
September 2005HGTP7N60C3D, HGT1S7N60C3DS, HGT1S7N60C3D14A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast DiodesGeneral Description FeaturesThe HGTP7N60C3D, HGT1S7N60C3DS and 14A, 600V at TC = 25oCHGT1S7N60C3D are MOS gated high voltage switching devices combining the best features of MOSFETs and 600V Switching SOA Capabilitybipolar transistors. These devices ha
Другие IGBT... HGT1S5N120CNS , HGT1S7N60A4DS , HGT1S7N60B3 , HGT1S7N60B3D , HGT1S7N60B3DS , HGT1S7N60B3S , HGT1S7N60C3D , HGT1S7N60C3DS , IHW20N120R3 , HGT5A40N60A4D , HGT1Y40N60A4D , HGT5A40N60A4 , HGTD10N40F1 , HGTD10N40F1S , HGTD10N40F1S9A , HGTD10N50F1 , HGTD10N50F1S .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2