HGT1S7N60C3DS9A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: HGT1S7N60C3DS9A  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 14 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 11.5 nS

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для HGT1S7N60C3DS9A

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

HGT1S7N60C3DS9A даташит

 1.1. Size:306K  1
 hgtp7n60c3d hgt1s7n60c3ds.pdf pdf_icon

HGT1S7N60C3DS9A

HGTP7N60C3D, HGT1S7N60C3DS Data Sheet December 2001 14A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT Features with Anti-Parallel Hyperfast Diodes 14A, 600V at TC = 25oC The HGTP7N60C3D and HGT1S7N60C3DS are MOS gated 600V Switching SOA Capability high voltage switching devices combining the best features Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 140ns at TJ = 150oC of MOSFETs

 1.2. Size:869K  1
 hgtp7n60c3d hgt1s7n60c3d hgt1s7n60c3ds.pdf pdf_icon

HGT1S7N60C3DS9A

 1.3. Size:557K  fairchild semi
 hgt1s7n60c3ds hgtp7n60c3d.pdf pdf_icon

HGT1S7N60C3DS9A

September 2005 HGTP7N60C3D, HGT1S7N60C3DS, HGT1S7N60C3D 14A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes General Description Features The HGTP7N60C3D, HGT1S7N60C3DS and 14A, 600V at TC = 25oC HGT1S7N60C3D are MOS gated high voltage switching devices combining the best features of MOSFETs and 600V Switching SOA Capability bipolar transistors. These devices ha

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HGT1S5N120CNS, HGT1S7N60A4DS, HGT1S7N60B3, HGT1S7N60B3D, HGT1S7N60B3DS, HGT1S7N60B3S, HGT1S7N60C3D, HGT1S7N60C3DS, BT40T60ANF, HGT5A40N60A4D, HGT1Y40N60A4D, HGT5A40N60A4, HGTD10N40F1, HGTD10N40F1S, HGTD10N40F1S9A, HGTD10N50F1, HGTD10N50F1S