Справочник IGBT. T0850VB25E

 

T0850VB25E Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: T0850VB25E
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4400 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 2500 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 850 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.05 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.3 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 2000 nS
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 6500 nC
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

T0850VB25E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:365K  ixys
 t0850vb25e.pdf pdf_icon

T0850VB25E

Date:- 21 Jan, 2011 Data Sheet Issue:- P1 WESTCODEAn IXYS Company Prospective Data Insulated Gate Bi-Polar Transistor Type T0850VB25E Absolute Maximum Ratings MAXIMUM VOLTAGE RATINGS UNITS LIMITS VCES Collector emitter voltage 2500 V VDC link Permanent DC voltage for 100 FIT failure rate. 1250 V VGES Peak gate emitter voltage 20 V MAXIMUM RATINGS UNITS

Другие IGBT... IRG7RC07SD , CPV363M4UPBF , CPV363M4KPBF , AP20GT60ASI-HF , AOTF5B60D , AP20GT60I , AP28G40GEM-HF , T0510VB45E , GT30F124 , T0600TB45A , T1200TB25A , T0800EB45G , T0800TB45E , T0900EB45A , FF1400R12IP4 , T2250AB25E , T1200EB45E .

 

 
Back to Top

 


 
.