Справочник IGBT. T0850VB25E

 

T0850VB25E Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: T0850VB25E
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4400 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 2500 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 850 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.05 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 2000 nS
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для T0850VB25E

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

T0850VB25E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:365K  ixys
 t0850vb25e.pdf pdf_icon

T0850VB25E

Date:- 21 Jan, 2011 Data Sheet Issue:- P1 WESTCODEAn IXYS Company Prospective Data Insulated Gate Bi-Polar Transistor Type T0850VB25E Absolute Maximum Ratings MAXIMUM VOLTAGE RATINGS UNITS LIMITS VCES Collector emitter voltage 2500 V VDC link Permanent DC voltage for 100 FIT failure rate. 1250 V VGES Peak gate emitter voltage 20 V MAXIMUM RATINGS UNITS

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , CRG60T60AN3H , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: AOTF15B65MQ1 | MPBC6N65ESF | HCKD5N65BM2 | HGTG18N120BND | MPBD10N65EF

 

 
Back to Top

 


 
.