T0850VB25E - аналоги и описание IGBT

 

T0850VB25E - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: T0850VB25E

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4400 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 2500 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 850 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.05 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 2000 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для T0850VB25E

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

T0850VB25E даташит

 ..1. Size:365K  ixys
 t0850vb25e.pdf pdf_icon

T0850VB25E

Date - 21 Jan, 2011 Data Sheet Issue - P1 WESTCODE An IXYS Company Prospective Data Insulated Gate Bi-Polar Transistor Type T0850VB25E Absolute Maximum Ratings MAXIMUM VOLTAGE RATINGS UNITS LIMITS VCES Collector emitter voltage 2500 V VDC link Permanent DC voltage for 100 FIT failure rate. 1250 V VGES Peak gate emitter voltage 20 V MAXIMUM RATINGS UNITS

Другие IGBT... IRG7RC07SD , CPV363M4UPBF , CPV363M4KPBF , AP20GT60ASI-HF , AOTF5B60D , AP20GT60I , AP28G40GEM-HF , T0510VB45E , GT30F124 , T0600TB45A , T1200TB25A , T0800EB45G , T0800TB45E , T0900EB45A , FF1400R12IP4 , T2250AB25E , T1200EB45E .

History: SRE50N065FSU | TA49014 | YGW40N120F2 | STGWA20M65DF2

 

 

 

 

↑ Back to Top
.