T1200TB25A Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: T1200TB25A
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5900 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 2500 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 1200 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.15 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.3 V
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 2500 nS
Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 8500 nC
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для T1200TB25A
T1200TB25A Datasheet (PDF)
t1200tb25a.pdf

Date:- 12 Jan, 2011 Data Sheet Issue:- P1 WESTCODEAn IXYS Company Prospective Data Insulated Gate Bi-Polar Transistor Type T1200TB25A Absolute Maximum Ratings MAXIMUM VOLTAGE RATINGS UNITS LIMITS VCES Collector emitter voltage 2500 V VDC link Permanent DC voltage for 100 FIT failure rate. 1250 V VGES Peak gate emitter voltage 20 V MAXIMUM RATINGS UNITS
ixa20pt1200lb.pdf

IXA20PT1200LBtentativeVCES = 2x 1200VXPT IGBTI= 28 AC25VCE(sat) = 1.8VISOPLUSSurface Mount Power DevicePhase leg SCR / IGBTPart numberIXA20PT1200LBBackside: isolated9E32664113276458Features / Advantages: Applications: Package: SMPD XPT IGBT Phaseleg Isolation Voltage: V~3000 - low saturation voltage - buck-boost chopper Indus
t1200eb45e.pdf

Date:- 19 Oct, 2009 Data Sheet Issue:- 1 Provisional Data Insulated Gate Bi-Polar Transistor Type T1200EB45E Absolute Maximum Ratings MAXIMUM VOLTAGE RATINGS UNITS LIMITS VCES Collector emitter voltage 4500 V VDC link Permanent DC voltage for 100 FIT failure rate 2800 V VGES Peak gate emitter voltage 20 V MAXIMUM RATINGS UNITS LIMITS IC(DC) Continuous DC
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
History: SIGC03T60SE
History: SIGC03T60SE



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
bdx53c | k3563 | d882p | 2sb1560 | 2n1304 | 2sa979 | 2sc4793 | d965