Справочник IGBT. T0800TB45E

 

T0800TB45E Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: T0800TB45E
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6400 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 4500 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 800 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.3(typ) V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 4000 nS
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 5000 nC
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для T0800TB45E

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

T0800TB45E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:513K  ixys
 t0800tb45e.pdf pdf_icon

T0800TB45E

Date:- 14 July, 2011 Data Sheet Issue:- P1 WESTCODEAn IXYS Company Prospective Data Insulated Gate Bi-Polar Transistor Type T0800TB45E Absolute Maximum Ratings MAXIMUM VOLTAGE RATINGS UNITS LIMITS VCES Collector emitter voltage 4500 V VDC link Permanent DC voltage for 100 FIT failure rate. 2800 V VGES Peak gate emitter voltage 20 V MAXIMUM RATINGS UNITS

 9.1. Size:382K  ixys
 t0800eb45g.pdf pdf_icon

T0800TB45E

Date:- 3 March, 2012 Data Sheet Issue: - 1 WESTCODEAn IXYS Company Insulated Gate Bi-Polar Transistor Type T0800EB45G Absolute Maximum Ratings MAXIMUM VOLTAGE RATINGS UNITS LIMITS VCES Collector emitter voltage 4500 V VDC link Permanent DC voltage for 100 FIT failure rate. 2800 V VGES Peak gate emitter voltage 20 V MAXIMUM RATINGS UNITS LIMITS IC(DC) D

Другие IGBT... AOTF5B60D , AP20GT60I , AP28G40GEM-HF , T0510VB45E , T0850VB25E , T0600TB45A , T1200TB25A , T0800EB45G , GT50JR22 , T0900EB45A , FF1400R12IP4 , T2250AB25E , T1200EB45E , T1600GB45G , T1800GB45A , T2400GB45E , AP26G40GEO-HF .

History: VS-ETF075Y60U | OST60N65HSZF

 

 
Back to Top

 


 
.