T0800TB45E - аналоги и описание IGBT

 

T0800TB45E - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: T0800TB45E

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6400 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 4500 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 800 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.8 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 4000 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для T0800TB45E

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

T0800TB45E даташит

 ..1. Size:513K  ixys
 t0800tb45e.pdf pdf_icon

T0800TB45E

Date - 14 July, 2011 Data Sheet Issue - P1 WESTCODE An IXYS Company Prospective Data Insulated Gate Bi-Polar Transistor Type T0800TB45E Absolute Maximum Ratings MAXIMUM VOLTAGE RATINGS UNITS LIMITS VCES Collector emitter voltage 4500 V VDC link Permanent DC voltage for 100 FIT failure rate. 2800 V VGES Peak gate emitter voltage 20 V MAXIMUM RATINGS UNITS

 9.1. Size:382K  ixys
 t0800eb45g.pdf pdf_icon

T0800TB45E

Date - 3 March, 2012 Data Sheet Issue - 1 WESTCODE An IXYS Company Insulated Gate Bi-Polar Transistor Type T0800EB45G Absolute Maximum Ratings MAXIMUM VOLTAGE RATINGS UNITS LIMITS VCES Collector emitter voltage 4500 V VDC link Permanent DC voltage for 100 FIT failure rate. 2800 V VGES Peak gate emitter voltage 20 V MAXIMUM RATINGS UNITS LIMITS IC(DC) D

Другие IGBT... AOTF5B60D , AP20GT60I , AP28G40GEM-HF , T0510VB45E , T0850VB25E , T0600TB45A , T1200TB25A , T0800EB45G , FGH40N60SFD , T0900EB45A , FF1400R12IP4 , T2250AB25E , T1200EB45E , T1600GB45G , T1800GB45A , T2400GB45E , AP26G40GEO-HF .

History: STGY50NB60HD | TA49015 | SHDG1025 | NGTB40N65IHL2 | TA49119 | TA49048 | TA49016

 

 

 

 

↑ Back to Top
.