T1800GB45A - аналоги и описание IGBT

 

T1800GB45A - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: T1800GB45A

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 13700 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 4500 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 1800 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.8 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 3300 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для T1800GB45A

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

T1800GB45A даташит

 ..1. Size:445K  ixys
 t1800gb45a.pdf pdf_icon

T1800GB45A

Date - 1 Sep, 2011 Data Sheet Issue - A1 WESTCODE An IXYS Company Advance Data Insulated Gate Bi-Polar Transistor Type T1800GB45A Absolute Maximum Ratings MAXIMUM VOLTAGE RATINGS UNITS LIMITS VCES Collector emitter voltage 4500 V VDC link Permanent DC voltage for 100 FIT failure rate. 2800 V VGES Peak gate emitter voltage 20 V MAXIMUM RATINGS UNITS LIMI

Другие IGBT... T1200TB25A , T0800EB45G , T0800TB45E , T0900EB45A , FF1400R12IP4 , T2250AB25E , T1200EB45E , T1600GB45G , IXGH60N60 , T2400GB45E , AP26G40GEO-HF , AP28G40GEO , AP30G40GEO-HF , RJP4010AGE , RJP4009ANS , STGF7H60DF , RJP4301APP-00 .

History: SHD724602 | STGW75H65DFB2-4

 

 

 

 

↑ Back to Top
.