Справочник IGBT. T1800GB45A

 

T1800GB45A - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: T1800GB45A
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 13700 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 4500 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 1800 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.8 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 3300 nS
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для T1800GB45A

 

 

T1800GB45A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:445K  ixys
 t1800gb45a.pdf

T1800GB45A T1800GB45A

Date:- 1 Sep, 2011 Data Sheet Issue:- A1 WESTCODEAn IXYS Company Advance Data Insulated Gate Bi-Polar Transistor Type T1800GB45A Absolute Maximum Ratings MAXIMUM VOLTAGE RATINGS UNITS LIMITS VCES Collector emitter voltage 4500 V VDC link Permanent DC voltage for 100 FIT failure rate. 2800 V VGES Peak gate emitter voltage 20 V MAXIMUM RATINGS UNITS LIMI

Другие IGBT... T1200TB25A , T0800EB45G , T0800TB45E , T0900EB45A , FF1400R12IP4 , T2250AB25E , T1200EB45E , T1600GB45G , SGT40N60NPFDPN , T2400GB45E , AP26G40GEO-HF , AP28G40GEO , AP30G40GEO-HF , RJP4010AGE , RJP4009ANS , STGF7H60DF , RJP4301APP-00 .

 

 
Back to Top