AP30G40GEO-HF Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: AP30G40GEO-HF
Тип транзистора: IGBT + Built-in Zener Diodes
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 6 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 5.5 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 1.2 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 900 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 30 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 60 nC
Тип корпуса: TSSOP8
- подбор IGBT транзистора по параметрам
AP30G40GEO-HF Datasheet (PDF)
ap30g40geo-hf.pdf

AP30G40GEO-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL INSULATED GATEElectronics Corp. BIPOLAR TRANSISTOR ICP=150A @VGE=3.0V VCE 400VC Low Gate Drive ICP 150ACCC Strobe Flash Applications RoHS Compliant & Halogen-Free CGEETSSOP-8GEEAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVCECollector-Emitter Voltage 400 VVGEPPeak Gate-E
ap30g100w.pdf

AP30G100WRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL INSULATED GATEElectronics Corp. BIPOLAR TRANSISTORFeaturesVCES 1000V High speed switching IC 30A Low Saturation VoltageVCE(sat)=3.0V@IC=30ACG Industry Standard TO-3P Package GC RoHS Compliant TO-3PEEAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVCES Collector-Emitter Voltage 1000 VVG
ap30g120sw.pdf

AP30G120SWPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL INSULATED GATEElectronics Corp. BIPOLAR TRANSISTOR WITH FRD.Features High speed switching VCES 1200V Low Saturation Voltage IC 30AVCE(sat)=3.0V@IC=30AC CO-PAK, IGBT with FRDGTO-3PG RoHS Compliant CEEAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVCES Collector-Emitter Voltage 1200 V
ap30g120bsw-hf.pdf

AP30G120BSW-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL INSULATED GATEElectronics Corp. BIPOLAR TRANSISTOR WITH FRD.Features High Speed Switching VCES 1200V Low Saturation Voltage IC 30AVCE(sat)=2.9V@IC=30AC CO-PAK, IGBT With FRD GCTO-3PG RoHS Compliant & Halogen-FreeEEAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVCES Collector-Emitter
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
kta1381 | bf494 | 2sc1885 | skd502t | 2sb754 | 2sc2362 | 2sd468 | c2240 transistor