Справочник IGBT. AP30G40GEO-HF

 

AP30G40GEO-HF Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: AP30G40GEO-HF
   Тип транзистора: IGBT + Built-in Zener Diodes
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 6 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 5.5 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 1.2 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 900 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 30 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 60 nC
   Тип корпуса: TSSOP8
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

AP30G40GEO-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:54K  ape
ap30g40geo-hf.pdfpdf_icon

AP30G40GEO-HF

AP30G40GEO-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL INSULATED GATEElectronics Corp. BIPOLAR TRANSISTOR ICP=150A @VGE=3.0V VCE 400VC Low Gate Drive ICP 150ACCC Strobe Flash Applications RoHS Compliant & Halogen-Free CGEETSSOP-8GEEAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVCECollector-Emitter Voltage 400 VVGEPPeak Gate-E

 9.1. Size:211K  ape
ap30g100w.pdfpdf_icon

AP30G40GEO-HF

AP30G100WRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL INSULATED GATEElectronics Corp. BIPOLAR TRANSISTORFeaturesVCES 1000V High speed switching IC 30A Low Saturation VoltageVCE(sat)=3.0V@IC=30ACG Industry Standard TO-3P Package GC RoHS Compliant TO-3PEEAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVCES Collector-Emitter Voltage 1000 VVG

 9.2. Size:97K  ape
ap30g120sw.pdfpdf_icon

AP30G40GEO-HF

AP30G120SWPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL INSULATED GATEElectronics Corp. BIPOLAR TRANSISTOR WITH FRD.Features High speed switching VCES 1200V Low Saturation Voltage IC 30AVCE(sat)=3.0V@IC=30AC CO-PAK, IGBT with FRDGTO-3PG RoHS Compliant CEEAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVCES Collector-Emitter Voltage 1200 V

 9.3. Size:99K  ape
ap30g120bsw-hf.pdfpdf_icon

AP30G40GEO-HF

AP30G120BSW-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL INSULATED GATEElectronics Corp. BIPOLAR TRANSISTOR WITH FRD.Features High Speed Switching VCES 1200V Low Saturation Voltage IC 30AVCE(sat)=2.9V@IC=30AC CO-PAK, IGBT With FRD GCTO-3PG RoHS Compliant & Halogen-FreeEEAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVCES Collector-Emitter

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top

 


 
.