NTE3300 - аналоги и описание IGBT

 

NTE3300 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: NTE3300

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 10 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS

Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для NTE3300

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

NTE3300 даташит

 ..1. Size:44K  no
 nte3300.pdf pdf_icon

NTE3300

NTE3300 Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch Features D High Input Impedance D Low Saturation Voltage D Enhancement Mode D 20V Gate Drive Applications D High Power Switching D Motor Control Absolute Maximum Raings (TA = +25 C unless otherwise specified) Collector-Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

 8.1. Size:44K  no
 nte3302.pdf pdf_icon

NTE3300

NTE3302 Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch Features D High Input Impedance D High Speed D Low Saturation Voltage D Enhancement Mode Applications D High Power Switching D Motor Control Absolute Maximum Raings (TA = +25 C unless otherwise specified) Collector-Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

 8.2. Size:44K  no
 nte3301.pdf pdf_icon

NTE3300

NTE3301 Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch Features D High Input Impedance D Low Saturation Voltage D Enhancement Mode D 20V Gate Drive Applications D High Power Switching D Motor Control Absolute Maximum Raings (TA = +25 C unless otherwise specified) Collector-Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

 8.3. Size:45K  no
 nte3303.pdf pdf_icon

NTE3300

NTE3303 Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch Features D High Input Impedance D High Speed D Low Saturation Voltage D Enhancement Mode Applications D High Power Switching D Motor Control Absolute Maximum Raings (TA = +25 C unless otherwise specified) Collector-Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... T2400GB45E , AP26G40GEO-HF , AP28G40GEO , AP30G40GEO-HF , RJP4010AGE , RJP4009ANS , STGF7H60DF , RJP4301APP-00 , RJP30H1DPD , RJP4301APP-M0 , NTE3302 , RJH60A83RDPP-M0 , RJH60D1DPP-E0 , RJH60V1BDPP-M0 , SGTN50A36FD , STGF10H60DF , STGF15H60DF .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.