HGT5A40N60A4 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: HGT5A40N60A4
Тип транзистора: IGBT
Маркировка: 40N60A4
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 18 nS
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 350 nC
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для HGT5A40N60A4
HGT5A40N60A4 Datasheet (PDF)
hgt5a40n60a4d hgt1y40n60a4d.pdf
HGT5A40N60A4D / HGT1Y40N60A4DData Sheet May 2002600V, SMPS Series N-Channel IGBT with FeaturesAnti-Parallel Hyperfast Diode 100kHz Operation at 390V, 40AThe HGT5A40N60A4D and HGT1Y40N60A4D are MOS 200kHz Operation at 390V, 20Agated high voltage switching devices combining the best 600V Switching SOA Capabilityfeatures of a MOSFET and a bipolar transistor. These de
hgtg27n120bn hgt5a27n120bn.pdf
HGTG27N120BN / HGT5A27N120BNData Sheet October 200472A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT FeaturesThe HGTG27N120BN and HGT5A27N120BN are Non- 72A, 1200V, TC = 25oCPunch Through (NPT) IGBT design. This is a new member 1200V Switching SOA Capabilityof the MOS gated high voltage switching IGBT family. IGBTs Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 140ns at TJ = 15
Другие IGBT... HGT1S7N60B3D , HGT1S7N60B3DS , HGT1S7N60B3S , HGT1S7N60C3D , HGT1S7N60C3DS , HGT1S7N60C3DS9A , HGT5A40N60A4D , HGT1Y40N60A4D , IRG7IC28U , HGTD10N40F1 , HGTD10N40F1S , HGTD10N40F1S9A , HGTD10N50F1 , HGTD10N50F1S , HGTD10N50F1S9A , HGTD1N120BNS , HGTD1N120CNS .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2