Справочник IGBT. NGTG40N120FL2WG

 

NGTG40N120FL2WG Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: NGTG40N120FL2WG
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 535 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 42 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 230 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 313 nC
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

NGTG40N120FL2WG Datasheet (PDF)

 0.1. Size:183K  onsemi
 ngtg40n120fl2wg.pdf pdf_icon

NGTG40N120FL2WG

NGTG40N120FL2WGIGBT - Field Stop IIThis Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust andcost effective Field Stop II Trench construction, and provides superiorperformance in demanding switching applications, offering both lowon state voltage and minimal switching loss. The IGBT is well suitedfor UPS and solar applications.Features http://onsemi.com Extremely Eff

 1.1. Size:183K  onsemi
 ngtg40n120fl2.pdf pdf_icon

NGTG40N120FL2WG

NGTG40N120FL2WGIGBT - Field Stop IIThis Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust andcost effective Field Stop II Trench construction, and provides superiorperformance in demanding switching applications, offering both lowon state voltage and minimal switching loss. The IGBT is well suitedfor UPS and solar applications.Features http://onsemi.com Extremely Eff

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top

 


 
.