IRG8P60N120KD - аналоги и описание IGBT

 

IRG8P60N120KD - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IRG8P60N120KD

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 420 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 215 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IRG8P60N120KD

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IRG8P60N120KD даташит

 ..1. Size:699K  international rectifier
 irg8p60n120kd.pdf pdf_icon

IRG8P60N120KD

IRG8P60N120KDPbF IRG8P60N120KD-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 1200V C IC = 60A, TC =100 C tSC 10 s, TJ(max) = 150 C E G E C G G C E VCE(ON) typ. = 1.7V @ IC = 40A IRG8P60N120KDPbF IRG8P60N120KD EPbF n-channel TO 247AC TO 247AD Applications Industrial Motor Drive G C E UPS Gate

 9.1. Size:654K  international rectifier
 irg8p25n120kd.pdf pdf_icon

IRG8P60N120KD

IRG8P25N120KDPbF IRG8P25N120KD-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 1200V C IC = 25A, TC =100 C E tSC 10 s, TJ(max) = 150 C E G C C G G E VCE(ON) typ. = 1.7V @ IC = 15A IRG8P25N120KDPbF IRG8P25N120KD EPbF n-channel TO 247AC Applications TO 247AD G C E Industrial Motor Drive Gate Collector

 9.2. Size:640K  international rectifier
 irg8p15n120kd.pdf pdf_icon

IRG8P60N120KD

IRG8P15N120KDPbF IRG8P15N120KD-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 1200V C IC = 15A, TC =100 C E tSC 10 s, TJ(max) = 150 C E G C G G C E VCE(ON) typ. = 1.7V @ IC = 10A IRG8P15N120KDPbF IRG8P15N120KD EPbF n-channel TO 247AC Applications TO 247AD G C E Industrial Motor Drive Gate Collector E

 9.3. Size:659K  international rectifier
 irg8p08n120kd.pdf pdf_icon

IRG8P60N120KD

IRG8B08N120KDPbF IRG8P08N120KDPbF IRG8P08N120KD-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 1200V C IC = 8A, TC =100 C tSC 10 s, TJ(max) = 150 C E C G E C E VCE(ON) typ. = 1.7V @ IC = 5A G C G G E TO-247AD TO-220AB TO-247AC IRG8P08N120KD-EPbF Applications IRG8B08N120KDPbF IRG8P08N120KDPbF n-channel Ind

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NGTB40N60L2 , NGTB40N60L2WG , NGTB50N60FL2 , NGTB50N60FL2WG , NGTB50N60S1 , NGTB50N60S1WG , NGTB50N65FL2 , NGTB50N65FL2WG , CRG40T60AK3HD , TIG056BF-1E , STGF30H60DF , IKA08N65F5 , IKA08N65H5 , IKA15N65F5 , IKA15N65H5 , RJH60D2DPP-E0 , RJH60V2BDPP-M0 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.