NTE3303 - аналоги и описание IGBT

 

NTE3303 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: NTE3303

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 15 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 300 nS

Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для NTE3303

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

NTE3303 даташит

 ..1. Size:45K  no
 nte3303.pdf pdf_icon

NTE3303

NTE3303 Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch Features D High Input Impedance D High Speed D Low Saturation Voltage D Enhancement Mode Applications D High Power Switching D Motor Control Absolute Maximum Raings (TA = +25 C unless otherwise specified) Collector-Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

 8.1. Size:44K  no
 nte3302.pdf pdf_icon

NTE3303

NTE3302 Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch Features D High Input Impedance D High Speed D Low Saturation Voltage D Enhancement Mode Applications D High Power Switching D Motor Control Absolute Maximum Raings (TA = +25 C unless otherwise specified) Collector-Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

 8.2. Size:44K  no
 nte3301.pdf pdf_icon

NTE3303

NTE3301 Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch Features D High Input Impedance D Low Saturation Voltage D Enhancement Mode D 20V Gate Drive Applications D High Power Switching D Motor Control Absolute Maximum Raings (TA = +25 C unless otherwise specified) Collector-Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

 8.3. Size:44K  no
 nte3300.pdf pdf_icon

NTE3303

NTE3300 Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch Features D High Input Impedance D Low Saturation Voltage D Enhancement Mode D 20V Gate Drive Applications D High Power Switching D Motor Control Absolute Maximum Raings (TA = +25 C unless otherwise specified) Collector-Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TIG056BF-1E , STGF30H60DF , IKA08N65F5 , IKA08N65H5 , IKA15N65F5 , IKA15N65H5 , RJH60D2DPP-E0 , RJH60V2BDPP-M0 , CRG75T60AK3HD , IRGR2B60KD , STGF20H60DF , RJH60A85RDPP-M0 , RJH60V3BDPP-M0 , RJP5001APP-M0 , RJP5001APP-00 , RJQ6008DPM , KGF15N60FDA .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.