Справочник IGBT. STGFW40V60DF

 

STGFW40V60DF - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: STGFW40V60DF
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: GFW40V60DF
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.15 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 17 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 220 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 226 nC
   Тип корпуса: TO3PF

 Аналог (замена) для STGFW40V60DF

 

 

STGFW40V60DF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1828K  st
 stgfw40v60df.pdf

STGFW40V60DF STGFW40V60DF

STGFW40V60DF, STGW40V60DF, STGWT40V60DFTrench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speedDatasheet - production dataFeatures Maximum junction temperature: TJ = 175 C111 Tail-less switching off3 VCE(sat) = 1.8 V (typ.) @ IC = 40 A21 Tight parameters distributionTABTO-3PF Safe paralleling Low thermal resistance Very fast

 ..2. Size:1294K  st
 stgfw40v60df stgw40v60df stgwt40v60df.pdf

STGFW40V60DF STGFW40V60DF

STGFW40V60DF, STGW40V60DF, STGWT40V60DF Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed Datasheet - production data Features Maximum junction temperature: T = 175 C J Tail-less switching off V = 1.8 V (typ.) @ I = 40 A CE(sat) C Tight parameters distribution Safe paralleling Low thermal resistance Very fast soft recovery

 4.1. Size:650K  st
 stgb40v60f stgfw40v60f stgp40v60f stgw40v60f.pdf

STGFW40V60DF STGFW40V60DF

STGB40V60F, STGFW40V60F STGP40V60F, STGW40V60FDatasheetTrench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speedFeaturesTAB Maximum junction temperature: TJ = 175 C Tail-less switching off33122 1 VCE(sat) = 1.8 V (typ.) @ IC = 40 AD PAKTO-3PF Tight parameters distributionTAB Safe paralleling Low thermal resistance33221

 4.2. Size:1889K  st
 stgfw40v60f.pdf

STGFW40V60DF STGFW40V60DF

STGB40V60F, STGFW40V60F, STGP40V60F, STGW40V60FTrench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speedDatasheet - production dataFeaturesTAB Maximum junction temperature: TJ = 175 C111 Tail-less switching off31 VCE(sat) = 1.8 V (typ.) @ IC = 40 A3D2PAK 21 Tight parameters distributionTAB TO-3PF Safe paralleling Low thermal

 7.1. Size:431K  st
 stgfw40h65fb stgw40h65fb stgwa40h65fb.pdf

STGFW40V60DF STGFW40V60DF

STGFW40H65FB, STGW40H65FB, STGWA40H65FBDatasheetTrench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBTFeatures Maximum junction temperature: TJ = 175 C323 12 High speed switching series1TO-3PF TO-247 Minimized tail current Very low saturation voltage: VCE(sat) = 1.6 V (typ) @ IC = 40 A Safe paralleling321 Tight parameter distributio

 7.2. Size:1573K  st
 stgfw40h65fb.pdf

STGFW40V60DF STGFW40V60DF

STGW40H65FB, STGFW40H65FB, STGWT40H65FBTrench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speedDatasheet - production dataFeatures Maximum junction temperature: TJ = 175 C111 High speed switching series3 Minimized tail current21 Very low saturation voltage: VCE(sat) = 1.6 V TABTO-3PF(typ.) @ IC = 40 A Tight parameters distribution

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top