IRGS4615D Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IRGS4615D
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 99 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 23 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 15 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 45 pF
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для IRGS4615D
IRGS4615D Datasheet (PDF)
irgs4615d.pdf

IRGS4615DPbFIRGB4615DPbFInsulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery DiodeCCVCES = 600VCIC = 15A, TC = 100CEECGGtsc > 5s, Tjmax = 175CGEVCE(on) typ. = 1.55V @ 8ATO-220ABD2-Pakn-channelIRGB4615DPbFIRGS4615DPbFGCEGate Collector EmitterApplications Appliance Drives Inverters UPSFeatures BenefitsLow VCE(
irgs4610d.pdf

IRGR4610DPbFIRGS4610DPbFIRGB4610DPbFInsulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery DiodeC CVCES = 600VCCIC = 10A, TC = 100CEEECG GGGtsc > 5s, Tjmax = 175CD-PakE D2-Pak TO-220ABVCE(on) typ. = 1.7V @ 6A IRGR4610DPbFIRGS4610DPbF IRGB4610DPbFn-channelGCEApplicationsGate Collector Emitter Appliance Drives Inverters
irgs4620d.pdf

IRGS4620DPbF IRGB4620DPbF IRGP4620D(-E)PbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode CVCES = 600V C C C C IC = 20A, TC =100C E E E E C GC C C G tSC 5s, TJ(max) = 175C G G G EIRGS4620DPbF IRGB4620DPbF IRGP4620DPbF IRGP4620D-EPbF VCE(ON) typ. = 1.55V @ IC = 12A D2Pak TO-220AC TO-247AC TO-247AD n-channelApp
irgs4607d.pdf

IRGR4607DPbF IRGS4607DPbF IRGB4607DPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 600V CC C C IC = 7.0A, TC =100C E E E G C C tSC 5s, TJ(max) = 175C G G G EIRGR4607DPbF IRGS4607DPbF IRGB4607DPbF VCE(ON) typ. = 1.75V @ IC = 4.0A n-channel TO-220AB D-Pak D2Pak Applications G C E Industrial Motor Drive
Другие IGBT... STGFW80V60F , IXA12IF1200PC , OM6526SA , STGB7H60DF , STGP7H60DF , IRG8B08N120KD , IRG8P08N120KD , IRGB4615D , GT30J124 , RJH3077 , RJP63G4 , NTE3310 , KE703A , IKD06N60RA , IRGB4715D , IRGS4715D , IRGS4064D .
History: IGU04N60T | AP20GT60ASI-HF | F3L25R12W1T4-B27 | F3L300R12ME4-B22 | IXSM40N60A | IXGA12N60B | DL2G100SH6A
History: IGU04N60T | AP20GT60ASI-HF | F3L25R12W1T4-B27 | F3L300R12ME4-B22 | IXSM40N60A | IXGA12N60B | DL2G100SH6A



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
a608 transistor | c536 transistor | 2n706 | 2n388 | 2n3645 | 2n1307 | 2sa747 | a1941