Справочник IGBT. NTE3310

 

NTE3310 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: NTE3310
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 15 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 300 nS
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для NTE3310

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

NTE3310 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:43K  no
 nte3310.pdf pdf_icon

NTE3310

NTE3310Insulated Gate Bipolar TransistorN-Channel Enhancement Mode,High Speed SwitchFeatures:D High Input ImpedanceD High SpeedD Low Saturation VoltageD Enhancement ModeApplications:D High Power SwitchingD Motor ControlAbsolute Maximum Raings: (TA = +25C unless otherwise specified)Collector-Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

 8.1. Size:55K  1
 nte3312.pdf pdf_icon

NTE3310

NTE3312Insulated Gate Bipolar TransistorN-Channel Enhancement Mode,High Speed SwitchTO3P Type PackageFeatures:D High Input ImpedanceD High SpeedD Low Saturation VoltageD Enhancement ModeApplications:D High Power SwitchingD Motor ControlAbsolute Maximum Raings: (TA = +25_C unless otherwise specified)Collector-Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

 8.2. Size:43K  no
 nte3311.pdf pdf_icon

NTE3310

NTE3311Insulated Gate Bipolar TransistorN-Channel Enhancement Mode,High Speed SwitchFeatures:D High Input ImpedanceD High SpeedD Low Saturation VoltageD Enhancement ModeApplications:D High Power SwitchingD Motor ControlAbsolute Maximum Raings: (TA = +25C unless otherwise specified)Collector-Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

 9.1. Size:58K  1
 nte3321.pdf pdf_icon

NTE3310

NTE3321Insulated Gate Bipolar TransistorN-Channel Enhancement Mode,High Speed SwitchTO3P Type PackageFeatures:D High Input ImpedanceD High SpeedD Low Saturation VoltageD Enhancement ModeApplications:D High Power SwitchingAbsolute Maximum Ratings: (TA = +25_C unless otherwise specified)Collector-Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , CRG60T60AN3H , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

 

 
Back to Top

 


 
.