RJH60A85RDPE - аналоги и описание IGBT

 

RJH60A85RDPE - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: RJH60A85RDPE

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 113 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 17 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 48 pF

Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для RJH60A85RDPE

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

RJH60A85RDPE даташит

 ..1. Size:111K  renesas
 rjh60a85rdpe.pdf pdf_icon

RJH60A85RDPE

Preliminary Datasheet RJH60A85RDPE R07DS0809EJ0200 600V - 15A - IGBT Rev.2.00 Application Inverter Jul 12, 2012 Features Reverse conducting IGBT with monolithic diode Short circuit withstand time (5 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.5 V typ. (at IC = 15 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) Built-in fast recovery diode (trr = 160 ns

 3.1. Size:120K  renesas
 rjh60a85rdpp-m0.pdf pdf_icon

RJH60A85RDPE

Preliminary Datasheet RJH60A85RDPP-M0 R07DS0811EJ0200 600V - 15A - IGBT Rev.2.00 Application Inverter Jul 12, 2012 Features Reverse conducting IGBT with monolithic diode Short circuit withstand time (5 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.5 V typ. (at IC = 15 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) Built-in fast recovery diode (trr = 160

 7.1. Size:110K  renesas
 rjh60a83rdpe.pdf pdf_icon

RJH60A85RDPE

Preliminary Datasheet RJH60A83RDPE R07DS0806EJ0200 600V - 10A - IGBT Rev.2.00 Application Inverter Jul 12, 2012 Features Reverse conducting IGBT with monolithic diode Short circuit withstand time (5 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 2.1 V typ. (at IC = 10 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) Built-in fast recovery diode (trr = 130 ns

 7.2. Size:119K  renesas
 rjh60a83rdpp-m0.pdf pdf_icon

RJH60A85RDPE

Preliminary Datasheet RJH60A83RDPP-M0 R07DS0808EJ0200 600V - 10A - IGBT Rev.2.00 Application Inverter Jul 12, 2012 Features Reverse conducting IGBT with monolithic diode Short circuit withstand time (5 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 2.1 V typ. (at IC = 10 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) Built-in fast recovery diode (trr = 130

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRGS4715D , IRGS4064D , MG1215H-XBN2MM , IKP15N65F5 , IKP15N65H5 , MMG15H120XB6TN , STGD3NC120H , RJP6016JPE , CRG60T60AN3H , RJH60V3BDPE , IRG7PH28UD1 , NGD18N45 , NGD18N45CLBT4G , NGD8201B , NGD8201BNT4G , STGB10H60DF , STGB15H60DF .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.