STGB10H60DF - аналоги и описание IGBT

 

STGB10H60DF - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: STGB10H60DF

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 10 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 6.9 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 60 pF

Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для STGB10H60DF

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

STGB10H60DF даташит

 ..1. Size:1722K  st
stgb10h60df.pdfpdf_icon

STGB10H60DF

STGB10H60DF, STGF10H60DF, STGP10H60DF Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 10 A high speed Datasheet - production data Features TAB High speed switching Tight parameters distribution 3 1 Safe paralleling D PAK Low thermal resistance TAB Short-circuit rated Ultrafast soft recovery antiparallel diode Applications 3 3 2 2 1 1 Motor cont

 8.1. Size:605K  st
stgb10nc60kd.pdfpdf_icon

STGB10H60DF

STGB10NC60KD, STGD10NC60KD STGF10NC60KD, STGP10NC60KD 10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT Features TAB TAB Lower on voltage drop (VCE(sat)) 3 Lower CRES / CIES ratio (no cross-conduction 1 3 1 susceptibility) DPAK Very soft ultra fast recovery antiparallel diode D2PAK TAB Short-circuit withstand time 10 s Description This IGBT utilizes the advanced PowerM

 8.2. Size:350K  st
stgb10nb40lz.pdfpdf_icon

STGB10H60DF

STGB10NB40LZ N-CHANNEL CLAMPED 20A - D PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT TYPE VCES VCE(sat) IC STGB10NB40LZ CLAMPED

 8.3. Size:604K  st
stgb10nb60s.pdfpdf_icon

STGB10H60DF

STGB10NB60S STGP10NB60S 16 A, 600 V, low drop IGBT Features Low on-voltage drop (VCE(sat)) High current capability TAB TAB Applications 3 Light dimmer 3 1 2 1 Static relays TO-220 D2PAK Motor drive Description This IGBT utilizes the advanced PowerMESH process featuring extremely low on-state voltage Figure 1. Internal schematic diagram drop in low-fr

Другие IGBT... RJP6016JPE , RJH60A85RDPE , RJH60V3BDPE , IRG7PH28UD1 , NGD18N45 , NGD18N45CLBT4G , NGD8201B , NGD8201BNT4G , RJP63F3DPP-M0 , STGB15H60DF , STGP10H60DF , STGP15H60DF , IGP20N65F5 , IGP20N65H5 , IKP20N65F5 , IKP20N65H5 , IRG4MC40U .

History: IKP20N65H5

 

 

 

 

↑ Back to Top
.