Справочник IGBT. STGB10H60DF

 

STGB10H60DF Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: STGB10H60DF
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: GB10H60DF
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 10 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 6.9 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 60 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 57 nC
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для STGB10H60DF

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

STGB10H60DF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1722K  st
stgb10h60df.pdfpdf_icon

STGB10H60DF

STGB10H60DF, STGF10H60DF, STGP10H60DFTrench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 10 A high speedDatasheet - production dataFeaturesTAB High speed switching Tight parameters distribution31 Safe parallelingDPAK Low thermal resistanceTAB Short-circuit rated Ultrafast soft recovery antiparallel diodeApplications332211 Motor cont

 8.1. Size:605K  st
stgb10nc60kd.pdfpdf_icon

STGB10H60DF

STGB10NC60KD, STGD10NC60KDSTGF10NC60KD, STGP10NC60KD10 A, 600 V short-circuit rugged IGBTFeaturesTABTAB Lower on voltage drop (VCE(sat))3 Lower CRES / CIES ratio (no cross-conduction 131susceptibility)DPAK Very soft ultra fast recovery antiparallel diode D2PAKTAB Short-circuit withstand time 10sDescriptionThis IGBT utilizes the advanced PowerM

 8.2. Size:350K  st
stgb10nb40lz.pdfpdf_icon

STGB10H60DF

STGB10NB40LZN-CHANNEL CLAMPED 20A - DPAKINTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBTTYPE VCES VCE(sat) ICSTGB10NB40LZ CLAMPED

 8.3. Size:604K  st
stgb10nb60s.pdfpdf_icon

STGB10H60DF

STGB10NB60SSTGP10NB60S16 A, 600 V, low drop IGBTFeatures Low on-voltage drop (VCE(sat)) High current capabilityTABTABApplications3 Light dimmer 3 121 Static relaysTO-220 D2PAK Motor driveDescriptionThis IGBT utilizes the advanced PowerMESH process featuring extremely low on-state voltage Figure 1. Internal schematic diagramdrop in low-fr

Другие IGBT... RJP6016JPE , RJH60A85RDPE , RJH60V3BDPE , IRG7PH28UD1 , NGD18N45 , NGD18N45CLBT4G , NGD8201B , NGD8201BNT4G , FGA60N65SMD , STGB15H60DF , STGP10H60DF , STGP15H60DF , IGP20N65F5 , IGP20N65H5 , IKP20N65F5 , IKP20N65H5 , IRG4MC40U .

History: IKY75N120CH3 | IRGP4640D

 

 
Back to Top

 


 
.