Справочник IGBT. OM6520SC

 

OM6520SC Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: OM6520SC
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 25 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 4 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 200 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 160 pF
   Тип корпуса: TO258AA
 

 Аналог (замена) для OM6520SC

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

OM6520SC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:17K  omnirel
 om6520sc.pdf pdf_icon

OM6520SC

OM6516SCOM6520SCINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(IGBT) IN A HERMETIC TO-258AA PACKAGE1000 Volt, 25 Amp, N-Channel IGBT In A Hermetic Metal PackageFEATURES Isolated IGBTs In A Hermetic Package High Input Impedance Low On-Voltage High Current Capability High Switching Speed Low Tail Current Available With Free Wheeling Diode Available Screened

 9.1. Size:18K  omnirel
 om6526sa.pdf pdf_icon

OM6520SC

OM6517SAOM6526SAINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(IGBT) IN A HERMETIC TO-254AA PACKAGE1000 Volt, 15 And 20 Amp, N-Channel IGBT In A Hermetic Metal PackageFEATURES Isolated IGBTs In A Hermetic Package High Input Impedance Low On-Voltage High Current Capability High Switching Speed Low Tail Current Available Screened To MIL-S-19500, TX, TXV and S Lev

 9.2. Size:23K  omnirel
 om6524st.pdf pdf_icon

OM6520SC

OM6524STOM6525SAINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(IGBT) IN A HERMETIC PACKAGE1000 Volt, 8 Amp, N-Channel IGBT In A Hermetic Metal PackageFEATURES Isolated IGBTs In A Hermetic Package High Input Impedance Low On-Voltage High Current Capability High Switching Speed Low Tail Current Available With Free Wheeling Diode Available Screened To MIL-S-1

 9.3. Size:21K  omnirel
 om6529ss.pdf pdf_icon

OM6520SC

OM6529SSOM6530SSINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(IGBT) IN A HERMETIC ISOLATED SIP PACKAGE1000 Volt, 15 Amp, N-Channel IGBT In A Hermetic Metal PackageFEATURES Two Isolated IGBTs In A Hermetic SIP Package High Input Impedance Low On-Voltage High Current Capability High Switching Speed Low Tail Current Available With Free Wheeling Diodes Availa

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IGP20N65F5 , IGP20N65H5 , IKP20N65F5 , IKP20N65H5 , IRG4MC40U , IRG8P15N120KD , OM6516SC , OM6517SA , CRG60T60AN3H , STGD19N40LZ , KGF15N120NDS , IRGB4620D , IRGP4620D , IRGS4620D , MMG25H120X6TN , MMG25H120XB6TN , KGT15N135KDH .

History: IHW30N160R5 | FGB3040G2-F085C | IXGH36N60B3C1 | IXGH30N60C2D1

 

 
Back to Top

 


 
.