Справочник IGBT. IRGP4620D

 

IRGP4620D Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IRGP4620D
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 32 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 17 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 52 pF
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IRGP4620D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:901K  international rectifier
irgp4620d.pdfpdf_icon

IRGP4620D

IRGS4620DPbF IRGB4620DPbF IRGP4620D(-E)PbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode CVCES = 600V C C C C IC = 20A, TC =100C E E E E C GC C C G tSC 5s, TJ(max) = 175C G G G EIRGS4620DPbF IRGB4620DPbF IRGP4620DPbF IRGP4620D-EPbF VCE(ON) typ. = 1.55V @ IC = 12A D2Pak TO-220AC TO-247AC TO-247AD n-channelApp

 0.1. Size:966K  infineon
irgb4620dpbf irgib4620dpbf irgp4620dpbf irgs4620dpbf.pdfpdf_icon

IRGP4620D

IR IGBT IRGB4620DPbF IRGIB4620DPbF IRGP4620D(-E)PbF IRGS4620DPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 600V C C C IC = 20A, TC =100C tSC 5s, TJ(max) = 175C E C E E G C G C G VCE(ON) typ. = 1.55V @ IC = 12A IRGP4620DPbF IRGP4620D-EPbF IRGB4620DPbF TO-247AC TO-247AD TO-220AB CC Applications Indust

 8.1. Size:347K  international rectifier
irgp4650d.pdfpdf_icon

IRGP4620D

IRGP4650DPbFIRGP4650D-EPbFINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEVCES = 600VCCCIC = 50A, TC = 100CtSC 5s, TJ(max) = 175CGEECCGGVCE(on) typ. = 1.60V @ IC = 35AETO-247AC TO-247ADn-channelIRGP4650DPbF IRGP4650D-EPApplicationsGC E Industrial Motor DriveGate Collector Emitter Inverters UPS Weldi

 8.2. Size:154K  international rectifier
irgp460lc.pdfpdf_icon

IRGP4620D

PD - 9.1232IRFP460LCHEXFET Power MOSFETUltra Low Gate ChargeReduced Gate Drive RequirementEnhanced 30V Vgs Rating VDSS = 500VReduced Ciss, Coss, CrssIsolated Central Mounting HoleRDS(on) = 0.27Dynamic dv/dt RatedRepetitive Avalanche RatedID = 20ADescriptionThis new series of Low Charge HEXFET Power MOSFETs achieve significantlylower gate charge over conventional

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: APTGT50TA170P | 1MBI75U4F-120L-50 | RGT00TS65D | IXA20RG1200DHGLB | CM400DY-24A | F4-25R12NS4 | SKM600GB066D

 

 
Back to Top

 


 
.