Справочник IGBT. IHW20N65R5

 

IHW20N65R5 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IHW20N65R5
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: H20ER5
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.35 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 4.8 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 16 nS
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 97 nC
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IHW20N65R5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2120K  infineon
ihw20n65r5.pdfpdf_icon

IHW20N65R5

Resonant Switching SeriesReverse conducting IGBT with monolithic body diodeIHW20N65R5Data sheetIndustrial Power ControlIHW20N65R5Resonant Switching SeriesReverse conducting IGBT with monolithic body diodeCFeatures: Powerful monolithic reverse-conducting diode with low forwardvoltage TRENCHSTOPTM technology offers:- very tight parameter distributionG- high ru

 8.1. Size:794K  infineon
ihw20n120r3 rev2 5g.pdfpdf_icon

IHW20N65R5

IHW20N120R3IH-seriesThermal ResistanceParameter Symbol Conditions Max. Value UnitCharacteristicIGBT thermal resistance,R - 0.48 K/Wjunction - caseDiode thermal resistance,R - 0.48 K/Wjunction - caseThermal resistanceR - 40 K/Wjunction - ambientElectrical Characteristic, at T = 25C, unless otherwise specifiedElectrical Characteristic, at T = 25C, unless otherwi

 8.2. Size:1721K  infineon
ihw20n135r5.pdfpdf_icon

IHW20N65R5

IHW20N135R5Resonant Switching SeriesReverse Conducting IGBT with monolithic body diodeCFeatures: Offers high breakdown voltage of 1350V for improved reliability Powerful monolithic body diode with low forward voltagedesigned for soft commutation only TRENCHSTOPTM technology offering:G- very tight parameter distributionE- high ruggedness, temperature stable behav

 8.3. Size:551K  infineon
ihw20n120r2 h20r1202.pdfpdf_icon

IHW20N65R5

H20R1202H20R1202 IHW20N120R2 Soft Switching Series Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode CFeatures: Powerful monolithic Body Diode with very low forward voltage Body diode clamps negative voltages TrenchStop and Fieldstop technology for 1200 V applications GEoffers : - very tight parameter distribution - hig

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: IXGK72N60A3H1 | HGT1S3N60A4S | IXEH25N120D1

 

 
Back to Top

 


 
.