Справочник IGBT. IHW20N65R5

 

IHW20N65R5 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IHW20N65R5
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: H20ER5
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.35 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 4.8 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 16 nS
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 97 nC
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IHW20N65R5

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IHW20N65R5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2120K  infineon
ihw20n65r5.pdfpdf_icon

IHW20N65R5

Resonant Switching SeriesReverse conducting IGBT with monolithic body diodeIHW20N65R5Data sheetIndustrial Power ControlIHW20N65R5Resonant Switching SeriesReverse conducting IGBT with monolithic body diodeCFeatures: Powerful monolithic reverse-conducting diode with low forwardvoltage TRENCHSTOPTM technology offers:- very tight parameter distributionG- high ru

 8.1. Size:794K  infineon
ihw20n120r3 rev2 5g.pdfpdf_icon

IHW20N65R5

IHW20N120R3IH-seriesThermal ResistanceParameter Symbol Conditions Max. Value UnitCharacteristicIGBT thermal resistance,R - 0.48 K/Wjunction - caseDiode thermal resistance,R - 0.48 K/Wjunction - caseThermal resistanceR - 40 K/Wjunction - ambientElectrical Characteristic, at T = 25C, unless otherwise specifiedElectrical Characteristic, at T = 25C, unless otherwi

 8.2. Size:1721K  infineon
ihw20n135r5.pdfpdf_icon

IHW20N65R5

IHW20N135R5Resonant Switching SeriesReverse Conducting IGBT with monolithic body diodeCFeatures: Offers high breakdown voltage of 1350V for improved reliability Powerful monolithic body diode with low forward voltagedesigned for soft commutation only TRENCHSTOPTM technology offering:G- very tight parameter distributionE- high ruggedness, temperature stable behav

 8.3. Size:551K  infineon
ihw20n120r2 h20r1202.pdfpdf_icon

IHW20N65R5

H20R1202H20R1202 IHW20N120R2 Soft Switching Series Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode CFeatures: Powerful monolithic Body Diode with very low forward voltage Body diode clamps negative voltages TrenchStop and Fieldstop technology for 1200 V applications GEoffers : - very tight parameter distribution - hig

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , CRG60T60AN3H , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: SKM195GB062D | APTGT300A120D3 | SGU1N60XFD | STGW50HF60S | VS-GP100TS60SFPBF | SKM145GAL123D

 

 
Back to Top

 


 
.