STGB20V60DF Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: STGB20V60DF
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 167 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.15 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 10 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 110 pF
Тип корпуса: TO263
- подбор IGBT транзистора по параметрам
STGB20V60DF Datasheet (PDF)
stgb20v60df.pdf

STGB20V60DF, STGP20V60DF, STGW20V60DF, STGWT20V60DF600 V, 20 A very high speed trench gate field-stop IGBTDatasheet - production dataFeaturesTABTAB Maximum junction temperature: TJ = 175 C Very high speed switching series332 Tail-less switching off11 Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.8 V (typ.) TO-220 DPAK@ IC = 20 ATAB Tight paramete
stgb20v60f.pdf

STGB20V60F, STGP20V60F600 V, 20 A very high speed trench gate field-stop IGBTDatasheet - production dataFeatures Maximum junction temperature: TJ = 175 C Very high speed switching seriesTABTAB Tail-less switching off Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.8 V (typ.) @ IC = 20 A33 Tight parameters distribution211 Safe parallelingD2PAKTO-
stgb20m65df2.pdf

STGB20M65DF2DatasheetTrench gate field-stop, 650 V, 20 A, M series low-loss IGBTFeaturesTAB High short-circuit withstand time VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 20 A Tight parameters distribution23 Safer paralleling1 Low thermal resistanceDPAK Soft and very fast recovery antiparallel diodeC(2, TAB)Applications Motor control UPSG(1)
stgb20nb32lz stgb20nb32lz-1 .pdf

STGB20NB32LZSTGB20NB32LZ-1N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK/I2PAKINTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBTTYPE VCES VCE(sat) ICSTGB20NB32LZ CLAMPED
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
History: HGT1S7N60B3D | 6MBI100VA-120-50 | MMG40A120B7HN | 6MBI100U2B-060 | CM50DY-24H | RCM10N40
History: HGT1S7N60B3D | 6MBI100VA-120-50 | MMG40A120B7HN | 6MBI100U2B-060 | CM50DY-24H | RCM10N40



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
2sc869 datasheet | k3568 datasheet | 2sb77 | ac128 transistor datasheet | c2878 transistor | 2sc732 | 2sc1451 replacement | 6426 mosfet