Справочник IGBT. IKP30N65F5

 

IKP30N65F5 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IKP30N65F5
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 188 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 55 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 9 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 45 pF
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для IKP30N65F5

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IKP30N65F5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2077K  infineon
 ikp30n65f5.pdf pdf_icon

IKP30N65F5

IGBTHigh speed 5 FAST IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked with RAPID 1fast and soft antiparallel diodeIKP30N65F5650V DuoPack IGBT and diodeHigh speed switching series fifth generationData sheetIndustrial Power ControlIKP30N65F5High speed switching series fifth generationHigh speed 5 FAST IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked withRAPID 1 fast and soft antiparal

 6.1. Size:2076K  infineon
 ikp30n65h5.pdf pdf_icon

IKP30N65F5

IGBTHigh speed 5 IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked with RAPID 1fast and soft antiparallel diodeIKP30N65H5650V DuoPack IGBT and diodeHigh speed switching series fifth generationData sheetIndustrial Power ControlIKP30N65H5High speed switching series fifth generationHigh speed 5 IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked with RAPID 1fast and soft antiparallel diode

Другие IGBT... KGF30N60PA , IRG7PH35UD1-EP , IRG7PH35UD1M , IRG8P25N120KD , IGB30N60T , IGW30N60T , IGP30N65F5 , IGP30N65H5 , HGTG30N60A4 , IKP30N65H5 , IKW30N65H5 , NGTB30N60S , NGTB30N60SWG , NGTB20N120IHL , NGTB25N120IHL , IRGP6630D , NGTB20N120L .

History: F3L80R12W1H3_B11 | MMG800K060U6EN | MMG50S170B6TC | NGTB30N65IHL2WG | STGWT40V60DLF | CM200RX-12A

 

 
Back to Top

 


 
.