IKW30N65H5 - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: IKW30N65H5
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 188 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 55 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 11 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 45 pF
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для IKW30N65H5
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
IKW30N65H5 даташит
ikw30n65h5.pdf
IGBT High speed 5 IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked with RAPID 1 fast and soft antiparallel diode IKW30N65H5 650V DuoPack IGBT and Diode High speed switching series fifth generation Data sheet Industrial Power Control IKW30N65H5 High speed switching series fifth generation High speed 5 IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked with RAPID 1 fast and soft antiparallel diode
ikw30n65nl5.pdf
IGBT Low V IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked with RAPID 2 CE(sat) fast and soft antiparallel diode IKW30N65NL5 650V DuoPack IGBT and diode Low V series fifth generation CE(sat) Data sheet Industrial Power Control IKW30N65NL5 Low V series fifth generation CE(sat) Low V IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked with RAPID 2 CE(sat) fast and soft antiparallel diode C Fe
ikw30n65wr5 k30ewr5.pdf
Reverse Conducting Series Reverse conducting IGBT with monolithic body diode IKW30N65WR5 Data sheet Inductrial Power Control IKW30N65WR5 Reverse Conducting Series Reverse conducting IGBT with monolithic body diode C Features Powerful monolithic diode optimized for ZCS applications TRENCHSTOPTM 5 technology applications offers - high ruggedness, temperature stable behavior
ikw30n65wr5.pdf
Reverse Conducting Series Reverse conducting IGBT with monolithic body diode IKW30N65WR5 Data sheet Inductrial Power Control IKW30N65WR5 Reverse Conducting Series Reverse conducting IGBT with monolithic body diode C Features Powerful monolithic diode optimized for ZCS applications TRENCHSTOPTM 5 technology applications offers - high ruggedness, temperature stable behavior
Другие IGBT... IRG7PH35UD1M , IRG8P25N120KD , IGB30N60T , IGW30N60T , IGP30N65F5 , IGP30N65H5 , IKP30N65F5 , IKP30N65H5 , IRGB20B60PD1 , NGTB30N60S , NGTB30N60SWG , NGTB20N120IHL , NGTB25N120IHL , IRGP6630D , NGTB20N120L , NGTB20N120LWG , NGTB25N120L .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
ksc2073 | nte102a | tip31cg | s9015 transistor | irf540z | ss8550 transistor | irfp240 mosfet | tip141






