Справочник IGBT. NGTB20N120LWG

 

NGTB20N120LWG Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: NGTB20N120LWG
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: 20N120L
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 26 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 155 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 200 nC
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для NGTB20N120LWG

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

NGTB20N120LWG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:176K  onsemi
 ngtb20n120lwg.pdf pdf_icon

NGTB20N120LWG

NGTB20N120LWGIGBTThis Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust andcost effective Field Stop (FS) Trench construction, and providessuperior performance in demanding switching applications, offeringboth low on-state voltage and minimal switching loss. The IGBT iswell suited for resonant or soft switching applications. Incorporatedhttp://onsemi.cominto the device

 3.1. Size:176K  onsemi
 ngtb20n120l.pdf pdf_icon

NGTB20N120LWG

NGTB20N120LWGIGBTThis Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust andcost effective Field Stop (FS) Trench construction, and providessuperior performance in demanding switching applications, offeringboth low on-state voltage and minimal switching loss. The IGBT iswell suited for resonant or soft switching applications. Incorporatedhttp://onsemi.cominto the device

 4.1. Size:174K  onsemi
 ngtb20n120ihl.pdf pdf_icon

NGTB20N120LWG

NGTB20N120IHLWGIGBTThis Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust andcost effective Field Stop (FS) Trench construction, and providessuperior performance in demanding switching applications, offeringboth low on-state voltage and minimal switching loss. The IGBT iswell suited for resonant or soft switching applications. Incorporatedhttp://onsemi.cominto the devic

 4.2. Size:182K  onsemi
 ngtb20n120ihswg.pdf pdf_icon

NGTB20N120LWG

NGTB20N120IHSWGIGBTThis Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust andcost effective Field Stop (FS) Trench construction, and providessuperior performance in demanding switching applications, offeringboth low on-state voltage and minimal switching loss. The IGBT iswell suited for resonant or soft switching applications. Incorporatedhttp://onsemi.cominto the devic

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IKP30N65H5 , IKW30N65H5 , NGTB30N60S , NGTB30N60SWG , NGTB20N120IHL , NGTB25N120IHL , IRGP6630D , NGTB20N120L , GT30F124 , NGTB25N120L , NGTB25N120LWG , NGTB30N120IHS , NGTB30N120IHSWG , 25MT060WFAPBF , MMG40H120XB6TN , 6SI75N12 , IRGB4630D .

History: OST160N65H5MF | JT015N120F7PD1E

 

 
Back to Top

 


 
.