HGTD6N40E1S - аналоги и описание IGBT

 

HGTD6N40E1S - Аналоги. Основные параметры


   Наименование: HGTD6N40E1S
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 7.5 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5(max) V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 32 nS
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для HGTD6N40E1S

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

Технические параметры HGTD6N40E1S

 ..1. Size:32K  1
 hgtd6n40e1 hgtd6n40e1s hgtd6n50e1 hgtd6n50e1s.pdf pdf_icon

HGTD6N40E1S

HGTD6N40E1, HGTD6N40E1S, HGTD6N50E1, HGTD6N50E1S 6A, 400V and 500V N-Channel IGBTs March 1997 Features Packages HGTD6N40E1, HGTD6N50E1 6A, 400V and 500V JEDEC TO-251AA VCE(ON) 2.5V Max. EMITTER COLLECTOR TFALL 1.0 s GATE Low On-State Voltage Fast Switching Speeds COLLECTOR (FLANGE) High Input Impedance HGTD6N40E1S, HGTD6N50E1S Applications JEDEC TO

Другие IGBT... HGTD2N120CNS , HGTD3N60A4S , HGTD3N60B3 , HGTD3N60B3S , HGTD3N60C3 , HGTD3N60C3S , HGT5A27N120BN , HGTD6N40E1 , CRG60T60AK3HD , HGTD6N50E1 , HGTD6N50E1S , HGTD7N60A4S , HGTD7N60B3 , HGTD7N60B3S , HGTD7N60C3 , HGTD7N60C3S , HGT1S2N120CNS .

 

 
Back to Top

 


 
.