AP40G120W - аналоги и описание IGBT

 

AP40G120W - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: AP40G120W

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.4 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 205 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для AP40G120W

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

AP40G120W даташит

 ..1. Size:94K  ape
 ap40g120w.pdf pdf_icon

AP40G120W

AP40G120W RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL INSULATED GATE Electronics Corp. BIPOLAR TRANSISTOR Features C VCES 1200V Advanced IGBT Technology IC 40A Low Saturation Voltage VCE(sat)=3.15V@IC=40A C G Industry Standard TO-3P Package G TO-3P C E E Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Units VCES Collector-Emitter Voltage 1200 V VGE Gate-E

 9.1. Size:1803K  cn apm
 ap40g03nf.pdf pdf_icon

AP40G120W

AP40G03NF 30V N+P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP40G03NF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 30V I =42A DS D R

Другие IGBT... 25MT060WFAPBF , MMG40H120XB6TN , 6SI75N12 , IRGB4630D , IRGP4630D , IRGS4630D , CI40T120P , KGF25N120KDA , SGT50T65FD1PT , F4-25R12NS4 , IRG7PG35U , STGB20H60DF , STGP20H60DF , STGW20H60DF , STGWT20H60DF , AUIRGP66524D0 , IRG7PH37K10D .

History: IRGP4630D

 

 

 

 

↑ Back to Top
.