Справочник IGBT. AP40G120W

 

AP40G120W - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: AP40G120W
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.4 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 205 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 160 nC
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для AP40G120W

 

 

AP40G120W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:94K  ape
 ap40g120w.pdf

AP40G120W AP40G120W

AP40G120WRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL INSULATED GATEElectronics Corp. BIPOLAR TRANSISTORFeaturesCVCES 1200V Advanced IGBT Technology IC 40A Low Saturation VoltageVCE(sat)=3.15V@IC=40ACG Industry Standard TO-3P PackageGTO-3PCEEAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVCESCollector-Emitter Voltage 1200 VVGEGate-E

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top