IKW30N65NL5 - аналоги и описание IGBT

 

IKW30N65NL5 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование: IKW30N65NL5
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: K30ENL5
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 227 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 85 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.05 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.8 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 64 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 168 nC
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IKW30N65NL5

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

Технические параметры IKW30N65NL5

 ..1. Size:2093K  infineon
 ikw30n65nl5.pdf pdf_icon

IKW30N65NL5

IGBT Low V IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked with RAPID 2 CE(sat) fast and soft antiparallel diode IKW30N65NL5 650V DuoPack IGBT and diode Low V series fifth generation CE(sat) Data sheet Industrial Power Control IKW30N65NL5 Low V series fifth generation CE(sat) Low V IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked with RAPID 2 CE(sat) fast and soft antiparallel diode C Fe

 6.1. Size:2196K  infineon
 ikw30n65h5.pdf pdf_icon

IKW30N65NL5

IGBT High speed 5 IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked with RAPID 1 fast and soft antiparallel diode IKW30N65H5 650V DuoPack IGBT and Diode High speed switching series fifth generation Data sheet Industrial Power Control IKW30N65H5 High speed switching series fifth generation High speed 5 IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked with RAPID 1 fast and soft antiparallel diode

 6.2. Size:1908K  infineon
 ikw30n65wr5 k30ewr5.pdf pdf_icon

IKW30N65NL5

Reverse Conducting Series Reverse conducting IGBT with monolithic body diode IKW30N65WR5 Data sheet Inductrial Power Control IKW30N65WR5 Reverse Conducting Series Reverse conducting IGBT with monolithic body diode C Features Powerful monolithic diode optimized for ZCS applications TRENCHSTOPTM 5 technology applications offers - high ruggedness, temperature stable behavior

 6.3. Size:1908K  infineon
 ikw30n65wr5.pdf pdf_icon

IKW30N65NL5

Reverse Conducting Series Reverse conducting IGBT with monolithic body diode IKW30N65WR5 Data sheet Inductrial Power Control IKW30N65WR5 Reverse Conducting Series Reverse conducting IGBT with monolithic body diode C Features Powerful monolithic diode optimized for ZCS applications TRENCHSTOPTM 5 technology applications offers - high ruggedness, temperature stable behavior

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STGWA30N120KD , KGF40N60PA , NGTB50N60FLWG , NGTB50N60FWG , NGTG50N60FLWG , NGTG50N60FWG , KGF50N60KDA , IKW30N65EL5 , GT30G124 , IHW40N65R5 , IKW40N65WR5 , NGTB25N120FL , NGTB25N120FLWG , 20MT120UFAPBF , 20MT120UFP , MMG40HB120H6HN , STGWA40N120KD .

 

 
Back to Top

 


 
.