Справочник IGBT. STGWT20IH125DF

 

STGWT20IH125DF Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: STGWT20IH125DF
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 259 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1250 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.25 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 96 pF
   Тип корпуса: TO3P
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

STGWT20IH125DF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1352K  st
stgwt20ih125df.pdfpdf_icon

STGWT20IH125DF

STGW20IH125DF STGWT20IH125DF1250 V, 20 A IH series trench gate field-stop IGBTDatasheet - production dataFeaturesTAB Designed for soft commutation only Maximum junction temperature: TJ = 175 C Minimized tail current VCE(sat) = 2.0 V (typ.) @ IC = 15 A32 Tight parameters distribution312 Safe paralleling1 Very low VF soft recovery co-pa

 ..2. Size:1351K  st
stgw20ih125df stgwt20ih125df.pdfpdf_icon

STGWT20IH125DF

STGW20IH125DF STGWT20IH125DF1250 V, 20 A IH series trench gate field-stop IGBTDatasheet - production dataFeaturesTAB Designed for soft commutation only Maximum junction temperature: TJ = 175 C Minimized tail current VCE(sat) = 2.0 V (typ.) @ IC = 15 A32 Tight parameters distribution312 Safe paralleling1 Very low VF soft recovery co-pa

 7.1. Size:1293K  st
stgwt20h60df.pdfpdf_icon

STGWT20IH125DF

STGW20H60DF, STGWT20H60DF600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBTDatasheet - production dataFeatures High speed switchingTAB Tight parameters distribution Safe paralleling Low thermal resistance Short-circuit rated3 322 Ultrafast soft recovery antiparallel diode11TO-247TO-3PApplications Motor control UPS, PFCFigure

 7.2. Size:2085K  st
stgwt20v60df.pdfpdf_icon

STGWT20IH125DF

STGB20V60DF, STGP20V60DF, STGW20V60DF, STGWT20V60DF600 V, 20 A very high speed trench gate field-stop IGBTDatasheet - production dataFeaturesTABTAB Maximum junction temperature: TJ = 175 C Very high speed switching series332 Tail-less switching off11 Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.8 V (typ.) TO-220 DPAK@ IC = 20 ATAB Tight paramete

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: IGP50N60T | DIM1600ECM17-A | IGP10N60T

 

 
Back to Top

 


 
.