STGWT30V60F - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: STGWT30V60F
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.15 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 16 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 120 pF
Тип корпуса: TO3P
Аналог (замена) для STGWT30V60F
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
STGWT30V60F даташит
stgwt30v60f.pdf
STGFW30V60F, STGW30V60F, STGWT30V60F Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed Datasheet - production data Features Maximum junction temperature TJ = 175 C 1 1 1 Tail-less switching off 3 VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 30 A 2 1 TO-3PF Tight parameters distribution Tab Safe paralleling Low thermal resistance 3 3 2 2 App
stgb30v60df stgp30v60df stgw30v60df stgwt30v60df.pdf
STGB30V60DF, STGP30V60DF, STGW30V60DF, STGWT30V60DF Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed Datasheet - production data TAB Features TAB Maximum junction temperature TJ = 175 C Tail-less switching off 3 3 2 1 VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 30 A 1 D PAK TO-220 Tight parameters distribution TAB Safe paralleling Low therma
stgwt30v60df.pdf
STGB30V60DF, STGP30V60DF, STGW30V60DF, STGWT30V60DF Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed Datasheet - production data TAB Features TAB Maximum junction temperature TJ = 175 C Tail-less switching off 3 3 2 1 VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 30 A 1 D PAK TO-220 Tight parameters distribution TAB Safe paralleling Low therma
stgwt30h65fb.pdf
STGFW30H65FB, STGW30H65FB, STGWT30H65FB Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed Datasheet - production data TAB Features Maximum junction temperature TJ = 175 C High speed switching series 3 Minimized tail current 2 1 VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 30 A TO-3PF Tight parameters distribution 1 1 1 Safe paralleling 3 Low t
Другие IGBT... STGW30V60DF , STGW30V60F , STGWA15H120DF2 , STGWA15H120F2 , STGWT20H65FB , STGWT30H60DFB , STGWT30H65FB , STGWT30V60DF , GT30J127 , RJP60F5DPK , IRGP4650D , IGW50N65F5A , IGW50N65H5A , IKW50N65F5A , IKW50N65H5A , MM30G120B , IRGP4750D .
History: YGW40N65F1A1 | SRE60N065FSU | TA49052
History: YGW40N65F1A1 | SRE60N065FSU | TA49052
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sc1313 | 2sb560 replacement | 2sd330 replacement | a1273 transistor | 2sc1384 equivalent | 2sd786 | a940 transistor | 2sc1815 replacement







